[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法有效
申请号: | 201280047186.5 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN103858210A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 田边将人;福上典仁;坂田阳;古沟透;原口崇 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/24 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 型掩模坯 型掩模 它们 制造 方法 | ||
1.一种反射型掩模坯,包括:
基板;
在所述基板上形成的多层反射层;和
在所述多层反射层之上形成的吸收层,
所述反射型掩模坯具有所述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。
2.如权利要求1所述的反射型掩模坯,其中,
所述基板在所述遮光框区域被刻入,
所述吸收层的膜厚以所述刻入量的程度大于其他区域的膜厚。
3.如权利要求1或2所述的反射型掩模,其中,
在所述遮光框区域,所述多层反射层通过熔解而扩散混合。
4.如权利要求1~3中任一项所述的反射型掩模坯,其中,
在所述多层反射层和所述吸收层之间还具有保护层。
5.一种反射型掩模坯的制造方法,该反射型掩模坯的制造方法至少包含下述工序:
(1)准备低热膨胀基板、并在所述低热膨胀基板的表面形成抗蚀剂膜的工序;
(2)在所述抗蚀剂膜上形成框形状的遮光框图案的相反图案的工序;
(3)以在所述抗蚀剂膜上形成的相反图案为掩模而对所述低热膨胀基板进行蚀刻、从而在所述低热膨胀基板表面形成遮光框区域的工序;
(4)在将所述抗蚀剂膜剥离后,在形成有所述遮光框区域的低热膨胀基板表面按顺序层合多层反射层、保护层和吸收层的工序;以及
(5)通过CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨)法使成膜的吸收层的表面平整的工序。
6.一种反射型掩模,其在权利要求1~4中任一项所述的反射型掩模坯的所述遮光框区域内侧的表面形成有电路图案。
7.一种反射型掩模的制造方法,该反射型掩模的制造方法至少包含下述工序:
(1)准备权利要求1~4中任一项所述的反射型掩模坯、并在所述吸收层上形成抗蚀剂膜的工序;
(2)对所述抗蚀剂膜进行图案形成、并以经图案形成的所述抗蚀剂膜为掩模对所述吸收层进行蚀刻而形成电路图案的工序;以及
(3)将所述抗蚀剂膜剥离的工序。
8.如权利要求7所述的反射型掩模的制造方法,其中,
还包含如下工序:在所述遮光框区域中,通过高温退火处理使所述多层反射层熔解而扩散混合,由此使所述遮光框区域的反射率比所述遮光框区域以外的区域的反射率小的工序。
9.如权利要求8所述的反射型掩模的制造方法,其中,
所述高温退火处理利用卤素灯或氙气灯而进行,设置屏蔽板以使得热不会传递至所述遮光框区域以外,仅对所述遮光框区域进行热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造