[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280047186.5 申请日: 2012-09-25
公开(公告)号: CN103858210A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 田边将人;福上典仁;坂田阳;古沟透;原口崇 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F1/24
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 反射 型掩模坯 型掩模 它们 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种反射型掩模坯,包括:

基板;

在所述基板上形成的多层反射层;和

在所述多层反射层之上形成的吸收层,

所述反射型掩模坯具有所述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。

2.如权利要求1所述的反射型掩模坯,其中,

所述基板在所述遮光框区域被刻入,

所述吸收层的膜厚以所述刻入量的程度大于其他区域的膜厚。

3.如权利要求1或2所述的反射型掩模,其中,

在所述遮光框区域,所述多层反射层通过熔解而扩散混合。

4.如权利要求1~3中任一项所述的反射型掩模坯,其中,

在所述多层反射层和所述吸收层之间还具有保护层。

5.一种反射型掩模坯的制造方法,该反射型掩模坯的制造方法至少包含下述工序:

(1)准备低热膨胀基板、并在所述低热膨胀基板的表面形成抗蚀剂膜的工序;

(2)在所述抗蚀剂膜上形成框形状的遮光框图案的相反图案的工序;

(3)以在所述抗蚀剂膜上形成的相反图案为掩模而对所述低热膨胀基板进行蚀刻、从而在所述低热膨胀基板表面形成遮光框区域的工序;

(4)在将所述抗蚀剂膜剥离后,在形成有所述遮光框区域的低热膨胀基板表面按顺序层合多层反射层、保护层和吸收层的工序;以及

(5)通过CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨)法使成膜的吸收层的表面平整的工序。

6.一种反射型掩模,其在权利要求1~4中任一项所述的反射型掩模坯的所述遮光框区域内侧的表面形成有电路图案。

7.一种反射型掩模的制造方法,该反射型掩模的制造方法至少包含下述工序:

(1)准备权利要求1~4中任一项所述的反射型掩模坯、并在所述吸收层上形成抗蚀剂膜的工序;

(2)对所述抗蚀剂膜进行图案形成、并以经图案形成的所述抗蚀剂膜为掩模对所述吸收层进行蚀刻而形成电路图案的工序;以及

(3)将所述抗蚀剂膜剥离的工序。

8.如权利要求7所述的反射型掩模的制造方法,其中,

还包含如下工序:在所述遮光框区域中,通过高温退火处理使所述多层反射层熔解而扩散混合,由此使所述遮光框区域的反射率比所述遮光框区域以外的区域的反射率小的工序。

9.如权利要求8所述的反射型掩模的制造方法,其中,

所述高温退火处理利用卤素灯或氙气灯而进行,设置屏蔽板以使得热不会传递至所述遮光框区域以外,仅对所述遮光框区域进行热处理。

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