[发明专利]用于高密度电感器的薄膜结构和晶片级封装中的重分布

权利要求书

1.一种封装，包括：

晶片衬底；

包括钛薄膜外层的金属堆叠籽晶层；以及

与所述金属堆叠籽晶层的所述钛薄膜外层接触的抗蚀剂层，所述抗蚀剂层形成电路。

2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括晶片级重分布。

3.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个电感器。

4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个天线。

5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括倒装芯片封装。

6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个互连结构。

7.根据权利要求6所述的封装，其中，所述互连结构具有是圆形、矩形或八角形的形状。

8.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个线圈结构。

9.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个MEM结构。

10.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个转子结构。

11.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括用于在同一封装中堆叠多小片或分立小片的一个或多个插入件。

12.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括用于在同一封装中堆叠多小片或分立小片的一个或多个3D结构。

13.根据权利要求1所述的封装，其中，所述电路包括一个或多个嵌入式小片结构。

14.根据权利要求13所述的封装，其中，所述嵌入式小片结构包括多小片、多分立3D封装，其中晶片级封装嵌入印刷电路、模块、封装衬底或柔性电路中。

15.根据权利要求1所述的封装，其中所述钛薄膜外层具有在100埃和1500埃之间的厚度。

16.根据权利要求1所述的封装，其中，所述钛薄膜外层具有250埃的厚度。

17.根据权利要求1所述的封装，其中，所述金属堆叠籽晶层包括铝层、镍钒层、铜层和所述钛薄膜外层。

18.一种用于制造封装的方法，包括：

形成具有钛薄膜外层的金属堆叠籽晶层；

形成抗蚀剂层从而与所述金属堆叠籽晶层的所述钛薄膜外层接触；以及

由所述抗蚀剂层形成电路。

19.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，形成抗蚀剂层的所述步骤包括由物理气相沉积形成抗蚀剂层。

20.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，由所述抗蚀剂层形成电路的所述步骤包括：

使所述抗蚀剂层图案化；以及

蚀刻所述抗蚀剂层以形成电路。

21.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括晶片级重分布。

22.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个电感器。

23.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个天线。

24.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述封装包括倒装芯片封装。

25.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个互连结构。

26.根据权利要求25所述的用于制造封装的方法，其中，所述互连结构具有是圆形、矩形或八角形的形状。

27.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个线圈结构。

28.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个MEM结构。

29.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括一个或多个转子结构。

30.根据权利要求18所述的用于制造封装的方法，其中，所述电路包括用于在同一封装中堆叠多小片或分立小片的一个或多个插入件。