[发明专利]电子元件的制造方法和要用于所述制造方法的压敏粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件的制造方法及用于所述制造方法的压敏粘合片。

背景技术

在半导体芯片的制造中，以高密度封装为目的，其中以晶片状态进行封装的称为晶片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的封装体系备受注目。根据WL-CSP，在晶片上进行再配线和端子的形成等之后进行切割晶片，因此可获得小型化至大致芯片尺寸的半导体封装。

此处，在1枚晶片上形成的多个电路图案中会包括有缺陷产品。在此情况时，当不区别有缺陷产品与无缺陷产品而一概在所述晶片上进行再配线等处理时，对有缺陷产品所进行的处理变得徒劳，结果可出货的无缺陷产品的制造成本增高。为了解决所述问题，已提出仅选出无缺陷产品后进行端子的形成等的制造方法(专利文献1)。

此外，WL-CSP需要许多复杂的处理步骤。例如，形成再配线层的步骤通常包括以下一些步骤：例如第1层间绝缘层形成、晶种金属沉积、光致抗蚀剂图案形成、镀覆、光致抗蚀剂去除及晶种金属蚀刻，和第2层间绝缘层形成等。因此，在WL-CSP中，强烈要求步骤的简化，以及制造成本的降低。更详细而言，根据CSP的制造方法，在图案面上设置介电保护层并于其上形成凸块(bump)。然而半导体芯片的厚度变小，因此，对于仅有此类介电保护层的厚度，半导体芯片会破损的概率高。此外，半导体芯片经常用于严苛环境，使其难以确保可靠性。因此，存在增加介电保护层的厚度的需求。但是，在常规制造方法中，所述方法涉及在半导体芯片的图案面上通过使用旋涂而施涂液体树脂作为介电保护层，存在难以增加介电保护层厚度的问题，和使用旋涂导致介电保护层的涂布产率降低且树脂的用量增加的问题。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：JP2001-308116A

发明内容

发明要解决的问题

为了解决上述问题进行本发明，本发明的目的在于：降低半导体芯片等芯片状电子元件的制造成本并且简化其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明提供一种电子元件的制造方法。所述制造方法包括：

将压敏粘合片贴合于基板上，所述压敏粘合片包括基材、设置于所述基材的一面上的含有热膨胀性微球的热膨胀性压敏粘合剂层、和设置于所述基材的另一面上的从所述基材侧起顺次包括微压敏粘合剂层和接着剂层的介电层，以致所述热膨胀性压敏粘合剂层置于所述基板侧；

将多个芯片状电子元件贴合并固定于所述压敏粘合片在所述接着剂层侧的表面上，以致所述多个芯片状电子元件的电极面置于所述接着剂层侧；

利用保护物质覆盖所述多个芯片状电子元件除固定面以外的全部面，从而获得包括所述多个芯片状电子元件的密封成型体；

将所述压敏粘合片进行加热处理以使所述热膨胀性压敏粘合剂层中的热膨胀性微球膨胀，从而降低所述热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力并将所述热膨胀性压敏粘合剂层从所述基板剥离；

将所述微压敏粘合剂层从所述接着剂层剥离，从而获得所述接着剂层与所述密封成型体的层压体；和

在所述多个芯片状电子元件之间将所述层压体切断，从而分离各芯片状电子元件。

在优选实施方案中，所述保护物质包含热固性树脂或热塑性树脂，所述加热处理的加热温度为所述热固性树脂的固化温度以上或所述热塑性树脂的软化温度以下。

根据本发明的另一方面，提供用于所述电子元件的制造方法的压敏粘合片。所述压敏粘合片包括：

基材；

设置于所述基材的一面上的含有热膨胀性微球的热膨胀性压敏粘合剂层；和

设置于所述基材的另一面上的从所述基材侧起顺次包括微压敏粘合剂层和接着剂层的介电层。

在优选实施方案中，所述接着剂层的介电常数为5以下。

在优选实施方案中，所述接着剂层的吸水率为2%以下。

在优选实施方案中，所述微压敏粘合剂层于23℃环境下对所述接着剂层的粘合力为3N/20mm以下。

在优选实施方案中，所述微压敏粘合剂层于100℃环境下对所述接着剂层的粘合力为2N/20mm以下。

在优选实施方案中，所述保护物质包括热固性树脂，和所述热膨胀性微球的膨胀起始温度为所述热固性树脂的固化温度以上。

发明的效果