[发明专利]电子元件的制造方法和要用于所述制造方法的压敏粘合片无效
申请号: | 201280034983.X | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN103650123A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 平山高正;下川大辅 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C09J7/02;C09J11/00;C09J201/00;H01L21/301;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 制造 方法 用于 粘合 | ||
1.一种电子元件的制造方法,其包括:
将压敏粘合片贴合于基板上,所述压敏粘合片包括基材、设置于所述基材的一面上的含有热膨胀性微球的热膨胀性压敏粘合剂层、和设置于所述基材的另一面上的从所述基材侧起顺次包括微压敏粘合剂层和接着剂层的介电层,以致所述热膨胀性压敏粘合剂层置于所述基板侧;
将多个芯片状电子元件贴合并固定于所述压敏粘合片的所述接着剂层侧的表面上,以致所述多个芯片状电子元件的电极面置于所述接着剂层侧;
利用保护物质覆盖所述多个芯片状电子元件的除固定面以外的全部面,从而获得包括所述多个芯片状电子元件的密封成型体;
将所述压敏粘合片进行加热处理以使所述热膨胀性压敏粘合剂层中的热膨胀性微球膨胀,从而降低所述热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力,并将所述热膨胀性压敏粘合剂层从所述基板剥离;
将所述微压敏粘合剂层从所述接着剂层剥离,从而获得所述接着剂层与所述密封成型体的层压体;和
在所述多个芯片状电子元件之间将所述层压体切断,从而分离各芯片状电子元件。
2.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法,其中所述保护物质包含热固性树脂或热塑性树脂,所述加热处理的加热温度为所述热固性树脂的固化温度以上或所述热塑性树脂的软化温度以下。
3.一种压敏粘合片,其用于根据权利要求1或2所述的电子元件的制造方法,所述压敏粘合片包括:
基材;
设置于所述基材的一面上的含有热膨胀性微球的热膨胀性压敏粘合剂层;和
设置在所述基材的另一面上从所述基材侧起顺次包括微压敏粘合剂层和接着剂层的介电层。
4.根据权利要求3所述的压敏粘合片,其中所述接着剂层的介电常数为5以下。
5.根据权利要求3或4所述的压敏粘合片,其中所述接着剂层的吸水率为2%以下。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的压敏粘合片,其中所述微压敏粘合剂层于23℃环境下对所述接着剂层的粘合力为3N/20mm以下。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的压敏粘合片,其中所述微压敏粘合剂层于100℃环境下对所述接着剂层的粘合力为2N/20mm以下。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的压敏粘合片,其中所述保护物质包括热固性树脂,和所述热膨胀性微球的膨胀起始温度为所述热固性树脂的固化温度以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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