[发明专利]用于操控半导体开关的控制装置和方法

权利要求书

1.用于影响在电压源（3）和耗电器（4；44）之间的负载电流回路（2；42）中的能量流的控制装置，具有：半导体开关（5），该半导体开关包括构造在输入端子（7）和输出端子（8）之间的、环接到所述负载电流回路（2；42）中的导电段（9），该导电段的电阻能够借助能够施加在属于所述半导体开关（5）的控制端子（10）上的电势来设定；以及具有控制电路（6；46），其与所述控制端子（10）耦合并且包括与所述耗电器（4；44）并联连接的续流装置（21），其中所述控制电路（6；46）被构造用于向所述控制端子（10）提供控制电流，该控制电流与在所述续流装置（21）上的续流电压成比例，

其中，所述控制电路（6；46）包括电压-电流变换器（31；81，82）和与所述电压-电流变换器（31；81，82）电连接的耦合装置（23，33；84；85），其中该耦合装置（23，33；84；85）被设立用于成比例地提供流过所述电压-电流变换器（31；81，82）的电流作为在所述半导体开关（5）的所述控制端子（10）上的控制电流，

其中所述控制电路包括第一耦合装置（33）和第二耦合装置（23），它们分别与所述半导体开关（5）的所述控制端子（10）连接并且它们能够借助切换装置（28）选择性地与所述电压-电流变换器（31）串联连接，

其特征在于，所述切换装置（28）被构造为，使得其能够被切换到第三功能状态中，在该第三功能状态中没有控制电流由所述电压-电流变换器（31；81，82）被提供给所述半导体开关（5）的所述控制端子（10）。

2.用于影响在电压源（3）和耗电器（4；44）之间的负载电流回路（2；42）中的能量流的控制装置，具有：半导体开关（5），该半导体开关包括构造在输入端子（7）和输出端子（8）之间的、环接到所述负载电流回路（2；42）中的导电段（9），该导电段的电阻能够借助能够施加在属于所述半导体开关（5）的控制端子（10）上的电势来设定；以及具有控制电路（6；46），其与所述控制端子（10）耦合并且包括与所述耗电器（4；44）并联连接的续流装置（21），其中所述控制电路（6；46）被构造用于向所述控制端子（10）提供控制电流，该控制电流与在所述续流装置（21）上的续流电压成比例，

其中，所述控制电路（6；46）包括电压-电流变换器（31；81，82）和与所述电压-电流变换器（31；81，82）电连接的耦合装置（23，33；84；85），其中该耦合装置（23，33；84；85）被设立用于成比例地提供流过所述电压-电流变换器（31；81，82）的电流作为在所述半导体开关（5）的所述控制端子（10）上的控制电流，

其中，所述控制电路包括带有由第一电压-电流变换器（81）和第一耦合装置（84）构成的串联电路的第一控制电流路径、和带有由第二电压-电流变换器（82）和第二耦合装置（85）构成的串联电路的第二控制电流路径、以及切换装置（28），该切换装置被构造用于在第一功能状态中通过所述第一控制电流路径提供控制电流并且在第二功能状态中通过所述第二控制电流路径提供控制电流给所述半导体开关（5）的所述控制端子（10），

其特征在于，所述切换装置（28）被构造为，使得其能够被切换到第三功能状态中，在该第三功能状态中没有控制电流由所述电压-电流变换器（31；81，82）被提供给所述半导体开关（5）的所述控制端子（10）。

3.根据权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于，所述续流装置被构造为续流二极管。

4.根据权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于，所述第三功能状态是中性状态。

5.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述耦合装置被构造为电流镜（23，33）。

6.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述耦合装置被构造为电平推移器（84，85）。

7.根据权利要求6所述的控制装置，其特征在于，所述电平推移器（84，85）被构造为晶体管。

8.根据权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于，所述电压-电流变换器（31；81，82）包括至少一个有效电阻，该有效电阻被构造为欧姆电阻。

9.根据权利要求8所述的控制装置，其特征在于，所述有效电阻仅仅被构造为欧姆电阻。