[发明专利]对于带有开关的相变存储器的快速验证

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过跨至少一个存储元件施加不超出第一划界电压的第一电压波形，来在将所述至少一个存储元件编程到预期状态之后的验证时间间隔内验证所述至少一个存储元件的状态处于所述预期状态；以及

通过跨所述至少一个存储元件施加不超出第二划界电压的第二电压波形，来在对所述至少一个存储元件编程之后的预定时间间隔之后，读取所述至少一个存储元件的所述状态，其中所述第二划界电压大于所述第一划界电压，并且所述预定时间间隔至少与所述验证时间间隔一样长；

其中所述至少一个存储元件具有随着时间而变化的电特性。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个存储元件是带有开关的相变存储器(PCMS)存储元件，所述存储元件具有阈值电压，所述阈值电压是随着时间而变化的所述电特性；以及

其中通过对所述PCMS存储元件进行编程，所述阈值电压从漂移的阈值电压被返回到额定阈值电压，其中由于所述PCMS存储元件的所述阈值电压随时间的推移的漂移，所述漂移的阈值电压高于所述额定阈值电压。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述验证时间间隔不大于大约1微秒(μs)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述验证时间间隔不大于大约100纳秒(ns)，且所述预定时间间隔在大约1毫秒(ms)和大约10毫秒之间。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

如果在对所述至少一个存储元件编程之后的所述预定时间间隔期间接收到读取请求，则在通过跨所述至少一个存储元件施加所述第二电压波形读取所述至少一个存储元件的所述状态之前，进行等待直至已流逝所述预定时间间隔。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

如果所述至少一个存储元件的所述状态未被验证为所述预期状态，则将所述至少一个存储元件重新编程为所述预期状态；以及

通过跨所述至少一个存储元件施加不超出所述第一划界电压的所述第一电压波形，在对所述至少一个存储元件重新编程之后的所述验证时间间隔内，重新验证所述至少一个存储元件的所述状态是所述预期状态。

7.一种设备，包括：

存储元件阵列，其中至少一个存储元件被包括在所述存储元件阵列中；

验证电路，用以通过跨所述至少一个存储元件施加不超出第一划界电压的第一电压波形，在对所述至少一个存储元件编程之后的验证时间间隔内，验证所述至少一个存储元件已被适当地编程；

读取电路，用于通过跨所述至少一个存储元件施加不超出第二划界电压的第二电压波形，来响应于读取请求而读取所述至少一个存储元件，所述第二划界电压大于所述第一划界电压；

其中所述至少一个存储元件具有随着时间而变化的电特性。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述至少一个存储元件包括硫族化物材料。

9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述至少一个存储元件是带有开关的相变存储器(PCMS)存储元件，所述存储元件具有阈值电压，所述阈值电压是随着时间而变化的所述电特性；以及

其中通过对所述PCMS存储元件进行编程，所述阈值电压从漂移的阈值电压被返回到额定阈值电压，其中由于所述PCMS存储元件的所述阈值电压随着时间的推移的漂移，所述漂移的阈值电压高于所述额定阈值电压。

10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述验证时间间隔不大于大约1微秒(μs)。

11.如权利要求7所述的设备，其特征在于，还包括：

定时器，用于测量对所述至少一个存储元件编程之后的预定时间间隔，其中所述预定时间间隔至少与所述验证时间间隔一样长；

其中如果在所述预定时间间隔期间接收到读取请求，则所述读取电路在读取所述至少一个存储元件的所述状态之前，进行等待直至已流逝所述预定时间间隔。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述验证时间间隔不大于大约100纳秒(ns)，并且所述预定时间间隔在大约1毫秒(ms)和大约10毫秒之间。

13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述预定时间间隔是在晶片制造之后在所述设备中确定的。