[发明专利]单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、和由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层，并且具有底部、弯曲部、和直胴部，

其特征在于，

在前述内层的表面形成有槽，所述槽自至少前述底部的一部分，经由前述弯曲部，延续到至少前述直胴部的一部分。

2.如权利要求1所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述槽是形成至前述底部的中心为止。

3.如权利要求1所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述槽并未形成于前述底部的中心部位。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，在前述底部和前述弯曲部中，前述槽是以网眼状图案、或将前述底部的中心作为中心的放射状图案来形成。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述槽形成至前述直胴部的上缘为止。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述槽的剖面形状为V字形、U字形及方形中的任一种。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述槽，至少在前述直胴部中以1～30mm的范围内的间隔来形成。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述外层的OH基浓度为10～300质量ppm，Al浓度为10～300质量ppm。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其中，前述内层的OH基浓度为1～100质量ppm，Al浓度为50质量ppm以下。

10.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，

根据二氧化硅粉的加热熔融，来制作具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、和由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层，并且具有底部、弯曲部、和直胴部的二氧化硅容器后，在前述内层的表面形成槽，

所述槽自至少前述底部的一部分，经由前述弯曲部，延续到至少前述直胴部的一部分。

11.如权利要求10所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其中，

根据前述二氧化硅粉的加热熔融来实行二氧化硅容器的制作，是根据以下工序来实行：

制作粒径为10～1000μm的二氧化硅粉来作为第1原料粉的工序；

将前述第1原料粉投入具有旋转对称性的模框内，一边使该模框旋转，一边暂时成型为与该模框的内壁相对应的规定形状，来作为暂时成型体的工序；以及，

于前述暂时成型体的内部设置碳电极，并根据放电加热熔融法对前述暂时成型体加热熔融，将至少前述暂时成型体的外侧部分作成前述不透明二氧化硅玻璃，并将内侧部分作成前述透明二氧化硅玻璃的放电加热熔融工序。

12.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，其是权利要求11所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，并具有以下工序：

制作粒径为10～1000μm，且较前述第1原料粉更高纯度的二氧化硅粉，来作为第2原料粉的工序；以及

至少迟于前述放电加热熔融工序，且早于前述槽的形成，一边自前述二氧化硅容器的上方撒入前述第2原料粉，一边根据放电加热熔融法使所述第2原料粉加热熔融，于前述二氧化硅容器的内层的表面部分，进而形成由透明二氧化硅玻璃所构成的层，而增加该内层的厚度的工序。

13.如权利要求11或12所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其中，在前述放电加热熔融工序中，将前述暂时成型体自前述模框的外侧进行减压，来将前述暂时成型体进行脱气。

14.如权利要求11至13中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其中，在前述放电加热熔融工序中，自前述暂时成型体的内侧，供给含有1～10vol.％氢气的惰性混合气体。

15.如权利要求10至14中的任一项所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其中，前述槽的形成中所使用的槽形成用磨削器的旋转磨削板的顶端剖面形状，为V字形、U字形及方形中的任一种。