[发明专利]半导体晶片等加工用粘附带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片等加工用粘附带。

本申请基于2011年3月30日在日本申请的特愿2011-075003号和2012年1月11日在日本申请的特愿2012-003125号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

一直以来，提出了各种在半导体晶片和封装品的切割加工中使用的半导体晶片等加工用粘附带（以下称为“切割带”）。一般而言，在切割带中，在基材层（基层）上形成有粘附层，利用该粘附层将半导体晶片等固定。在粘附层中通常添加有放射线聚合化合物（光固化型树脂）、放射线聚合引发剂（光聚合引发剂）和交联剂等，使得在半导体晶片等的切割加工后，能够容易地拾取半导体芯片。也就是说，在切割加工后，当向粘附层照射紫外线等放射线（光）时，这些成分固化，粘附层的粘附性降低，半导体芯片的拾取变得容易。

但是，在使切割带从被粘附体剥离的工序中，存在发生构成粘附层的粘附剂的一部分残留在被粘附体表面的、所谓的粘附剂残留的问题。另外，在利用切割带保持被粘附体的工序中，存在切割带不能稳定地保持具有凹凸的被粘附体的问题。因此，例如，专利文献1、2中公开了为了解决上述问题而适当选择粘附层的材料的切割带。这些切割带能够稳定地保持具有凹凸的被粘附体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-136298号公报

专利文献2：日本特开2003-105283号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，这些切割带不能使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量充分地减少。

本发明的目的是提供能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量减少的半导体晶片等加工用粘附带。

用于解决技术问题的手段

上述目的可通过以下的（1）～（9）中记载的本发明来实现。

（1）一种半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于，具备：基材层；和在上述基材层的至少一面上形成的粘附层，上述粘附层含有：含羧基聚合物；放射线聚合化合物；和交联剂，上述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上20000以下，并且官能团数为5个官能团以上，相对于含羧基聚合物100重量份，上述交联剂的含量为3重量份以上14重量份以下。

（2）如上述（1）所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述放射线聚合化合物的重均分子量为1000以上20000以下，并且官能团数为10个官能团以上。

（3）如上述（1）或（2）所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述含羧基聚合物还含有酯基，上述含羧基聚合物的上述酯基的个数与上述羧基的个数的比（酯基／羧基）为80／20以上95／5以下。

（4）如上述（1）～（3）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上3000以下，并且官能团数为15个官能团以下。

（5）如上述（1）～（4）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述官能团为乙烯基。

（6）如上述（1）～（5）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：相对于上述含羧基聚合物100重量份，上述放射线聚合化合物的含量为30重量份以上70重量份以下。

（7）如上述（1）～（6）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述放射线聚合化合物为聚氨酯丙烯酸酯。

（8）如上述（1）～（7）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述交联剂含有异氰酸酯基。

（9）如上述（1）～（8）中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：上述含羧基聚合物为丙烯酸酯与丙烯酸的共聚物。

通过具备上述特征，本发明的半导体晶片等加工用粘附带能够更稳定地保持具有凹凸的被粘附体。

另外，本发明的切割带以对被粘附体具有良好的粘附力、并且提高拾取性为目的，成为不在粘附层上设置芯片粘接膜等的结构。

由于这样的结构，不需要考虑在粘附层上叠层有芯片粘接膜等的情况下发生的下述不良情况（I）～（IV）等。

（I）在切割时，芯片粘接膜熔融，由此，切片品质降低，由于粘附层与芯片粘接膜的粘接，拾取性降低。（II）由于芯片粘接膜与粘附层的密合，在长时间保管时，拾取性降低。（III）为了叠层芯片粘接膜，制造工序增加。（IV）芯片粘接膜与粘附层有可能发生反应，因此不能常温输送。

发明效果