[发明专利]检查装置及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201280009675.1 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103384822A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 工藤祐司 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 半导体 制造 方法 | ||
1.一种检查装置,其特征在于,所述检查装置具备:
照明部,对形成有具周期性的图案的基板,以对所述基板具有穿透性的照明光加以照明;
反射绕射光检测部,接收所述照明光于所述图案绕射而反射至以所述照明光照明侧的反射绕射光而能输出第1检测信号;
穿透绕射光检测部,接收所述照明光于所述图案绕射而穿透至以所述照明光照明侧对向的背面侧的穿透绕射光而能输出第2检测信号;以及
状态检测部,根据所述第1检测信号与所述第2检测信号中的至少一方的信号,检测所述图案的状态。
2.根据权利要求1所述的检查装置,其特征在于,所述状态检测部,根据所述第1检测信号与所述第2检测信号的两方的信号检测所述图案的状态。
3.根据权利要求1或2所述的检查装置,其特征在于,所述图案具有从所述基板表面朝向与所述表面正交的方向的深度的图案;
所述状态检测部,根据所述第1检测信号与所述第2检测信号中的一方的检测信号检测所述图案的所述表面附近的状态,根据另一方的检测信号检测所述图案的深度方向的状态。
4.根据权利要求3所述的检查装置,其特征在于,所述受光的反射绕射光的波长较所述穿透绕射光的波长短。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述状态检测部根据所述第1检测信号检测所述基板表面附近的所述图案的状态,根据所述第2检测信号检测所述图案的深度方向的状态。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述检查装置具备根据所述穿透绕射光的方向驱动所述穿透绕射光检测部的驱动部。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述照明光是略平行光。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述照明光包含波长0.9μm以上的红外线。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述检查装置具备选择所述反射绕射光检测部与所述穿透绕射光检测部中的至少一方所受光的光的波长的波长选择部。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述检查装置进一步具备存储部,所述存储部将所述第1检测信号与所述第2检测信号中至少一方的信号与所述图案的状态赋予关联后加以储存。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述穿透绕射光检测部、所述照明部、所述基板中的至少两个,可倾动以接收所欲次数的穿透绕射光。
12.根据权利要求7所述的检查装置,其特征在于,所述检查装置进一步具备保持所述基板的保持部;
所述保持部可绕与所述略平行的照明光的入射面正交的倾动轴倾动;
所述穿透绕射光检测部、所述照明部及所述反射绕射光检测部可绕所述倾动轴旋动。
13.根据权利要求8所述的检查装置,其特征在于,所述照明光包含波长1.1μm的红外线。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的检查装置,其特征在于,所述照明部具有配置成可插入所述照明光的光路上的偏光板。
15.一种半导体装置的制造方法,具有于基板表面曝光出既定图案的动作、依据进行了所述曝光的所述图案对所述基板表面进行蚀刻的动作、以及对进行了所述曝光或所述蚀刻而于表面形成有所述图案的基板进行检查的动作;
所述基板的检查是使用权利要求1至14中任一项所述的检查装置进行。
16.一种检查装置,其特征在于,所述检查装置具备:
照明部,对形成有具周期性的图案的基板,以对所述基板具有穿透性的照明光加以照明;
穿透绕射光检测部,接收所述照明光于所述图案绕射而穿透至以所述照明光照明侧对向的背面侧的穿透绕射光而能输出检测信号;
选择部,可选择所述穿透绕射光检测部接收的穿透绕射光的绕射次数与入射条件中的至少一方;以及
状态检测部,根据所述检测信号检测所述图案的状态。
17.根据权利要求16所述的检查装置,其特征在于,所述选择部、所述穿透绕射光检测部、所述照明部、所述基板中的至少二个,可倾动。
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