[实用新型]阵列基板及有机发光二极管显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于有机发光二极管显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及有机发光二极管显示装置。

背景技术

有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diodes，OLED）以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔性弯曲等优点，被认为是未来最重要的显示技术之一。尤其是白光OLED（WOLED）的功率效率已经超过了60lm/W，寿命达到了2万个小时以上，极大地推动了WOLED的发展。

如图1所示，为现有的OLED阵列基板的结构，具体示出了一个像素单元的示意图，由下至上包括：形成在基板1上的第一栅极2、第二栅极2＇及栅线（图中未示出），形成在第一栅极2、第二栅极2＇及栅线之上的栅绝缘层3，形成在栅绝缘层3上的第一有源层4和第二有源层4＇，形成在第一有源层4和第二有源层4＇之上的绝缘间隔层5，形成在绝缘间隔层5上的第一源漏层6（包括第一源极和第一漏极）和第二源漏层6＇（包括第二源极和第二漏极），形成在第一源漏层6和第二源漏层6＇之上的钝化层7。其中，第一栅极2、栅绝缘层3、第一有源层4、绝缘间隔层5及第一源漏层6形成开关薄膜晶体管（开关TFT），第二栅极2＇、栅绝缘层3、第二有源层4＇、绝缘间隔层5及第二源漏层6＇形成驱动薄膜晶体管（驱动TFT）。第一源漏层6和第二源漏层6＇之上依次为钝化层7、彩膜9，树脂层10，有机发光二极管的第一电极11、像素定义层12、有机发光层13及有机发光二极管的第一电极14。其中，第一电极11为透明电极，有机发光层发出的光通过第一电极以及其下方的各层后出射。有机发光二极管位于像素单元的像素区域（通常指像素单元的除薄膜晶体管以外的显示区域）

该结构中，第二栅极2＇与第二源漏极6＇的漏极之间形成存储电容，如图1中虚线框所示。该像素单元的等效电路图如图2所示，Cs为所述存储电容。由于WOLED需要较大的驱动电流，从而WOLED的显示装置的功耗很大，为了降低功耗，在基板上形成了该存储电容的结构，该存储电容的作用是在为WOLED提供一部分驱动电流，使得由电源提供的驱动电流可相应减小，从而减小功耗。但是从图1中可看出，第二栅极2＇与第二源漏极6＇的漏极间隔了两层绝缘层，距离较大，电容较小，若能减小距离，增大电容，便能够进一步地降低WOLED的显示装置的功耗。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：如何进一步减小WOLED显示装置的驱动功耗。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述薄膜晶体管结构包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的漏极连接所述有机发光二极管，所述驱动薄膜晶体管的栅极与漏极重叠，之间形成存储电容，所述栅极和漏极之间间隔的绝缘层上对应重叠区域形成有凹槽，使所述栅极和漏极之间的距离小于所述绝缘层的对应非重叠区域的厚度。

其中，所述像素单元还包括：彩膜，所述彩膜形成在所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间。

其中，所述漏极位于所述栅极的上方，两者之间间隔的绝缘层上对应所述重叠区域的位置形成有凹槽，所述漏极的一部分形成在所述凹槽中。

其中，所述薄膜晶体管结构包括：形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；

所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，包括透明的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极连接所述第二漏极，所述第二漏极与所述第二栅极重叠，之间形成存储电容，所述第二漏极与所述第二栅极之间间隔的绝缘层为所述栅绝缘层。

其中，所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层，所述绝缘层包括：绝缘间隔层和栅绝缘层，所述凹槽形成在靠近所述第二漏极的绝缘间隔层的表面，且所述凹槽的深度小于所述绝缘间隔层的厚度。