[实用新型]阵列基板及有机发光二极管显示装置有效

专利信息
申请号: 201220686859.9 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN202957245U 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 有机 发光二极管 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,所述薄膜晶体管结构包括驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管的漏极连接所述有机发光二极管,所述驱动薄膜晶体管的栅极与漏极重叠,之间形成存储电容,所述栅极和漏极之间间隔的绝缘层上对应重叠区域形成有凹槽,使所述栅极和漏极之间的距离小于所述绝缘层的对应非重叠区域的厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括:

彩膜,所述彩膜形成在所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极位于所述栅极的上方,两者之间间隔的绝缘层上对应所述重叠区域的位置形成有凹槽,所述漏极的一部分形成在所述凹槽中。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构包括:形成在基板上的第一栅极、第二栅极,形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层,形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层,形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极,形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极,所述第一漏极连接所述第二栅极,所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管,所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管;

所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域,包括透明的第一电极、发光层、第二电极,所述第一电极连接所述第二漏极,所述第二漏极与所述第二栅极重叠,之间形成存储电容,所述第二漏极与所述第二栅极之间间隔的绝缘层为所述栅绝缘层。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层,所述绝缘层包括:绝缘间隔层和栅绝缘层,所述凹槽形成在靠近所述第二漏极的绝缘间隔层的表面,且所述凹槽的深度小于所述绝缘间隔层的厚度。

6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层,所述绝缘层包括:绝缘间隔层和栅绝缘层,所述绝缘间隔层上对应所述重叠区域形成有通孔,所述通孔与所述栅绝缘层的表面形成所述凹槽。

7.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层,所述绝缘层包括:绝缘间隔层和栅绝缘层,所述绝缘间隔层上对应所述重叠区域形成有通孔,栅绝缘层上对应所述重叠区域形成有子凹槽,所述通孔与所述子凹槽形成所述凹槽;所述子凹槽的深度小于所述栅绝缘层的厚度。

8.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述彩膜位于所述驱动薄膜晶体管结构之上的钝化层上。

9.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~8中任一项所述的阵列基板。

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