[实用新型]半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别涉及一种提高焊球与柱状电极结合力的半导体器件。

背景技术

芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）作为最新一代的芯片封装技术，CSP封装的产品具有其具有体积小、电性能好和热性能好等优点。圆片级CSP（WCSP）作为芯片级封装的一种，是先在圆片上进行封装，并以圆片的形式进行测试，老化筛选，其后再将圆片分割成单一的CSP电路。

公开号为CN1630029A的中国专利中公开了一种圆片级CSP结构的半导体器件，请参考图1，包括：半导体基底11，所述半导体基底11上具有焊盘12；位于所述半导体基底11表面的钝化层14，所述钝化层14具有暴露焊盘12表面的开口；位于部分钝化层14表面以及开口内的再布线层16，再布线层16与焊盘12相连接；位于所述开口外的再布线层16表面的柱状电极17；覆盖所述再布线层16和部分钝化层14表面的绝缘层20，绝缘层20的表面与柱状电极17的表面平齐；位于柱状电极17表面的焊球21。

现有的半导体器件中的焊球容易从柱状电极的表面脱落。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种半导体器件，提高焊球和柱状电极之间的结合力。

为解决上述问题，本实用新型技术方案提供了一种半导体器件，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；

位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体四周侧壁的若干凸起部；

位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和覆盖所述凸起部表面的裙带部。

可选的，所述本体的横截面图形为圆或多边形。

可选的，所述凸起部的横截面图形为三角形、四边形、半圆或不规则图形。

可选的，当本体的横截面图形为圆时，凸起部与本体接触的一面的横截面图形为圆弧。

可选的，所述多边形为正多边形，所述三角形为等腰三角形，所述四边形为矩形、正方形或等腰梯形。

可选的，相邻凸起部之间接触或者不接触。

可选的，所述凸起部在以本体的中心为圆心的圆上等角度分布。

可选的，相邻凸起部之间不接触时，所述裙带部还覆盖凸起部之间暴露的本体的侧壁表面。

可选的，所述本体的横截面图形为多边形时，凸起部与本体相接触的边的长度大于本体对应的边的长度。

可选的，所述裙带部覆盖所述凸起部的上部分或全部表面。

可选的，所述柱状电极的尺寸小于焊盘的尺寸，裙带部的下部分与焊盘接触，裙带部的下部分宽度大于上部分的宽度。

可选的，所述焊球和柱状电极之间还具有金属阻挡层。

可选的，所述半导体基底上还具有再布线层，再布线层作为焊盘的一部分，所述柱状电极位于再布线层表面

与现有技术相比，本实用新型技术方案具有以下优点：

焊盘上的柱状电极包括本体和位于所述本体四周侧壁的若干凸起部，使得柱状电极的表面积大大的增加，柱状电极上的焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和覆盖所述凸起部表面的裙带部，由于凸起部的存在，使得柱状电极的侧壁表面积增大，焊球与柱状电极的接触面积大大增加，并且焊球与柱状电极的接触从现有单平面接触变为多平面接触，焊球与柱状电极两者的结合力增强，在焊球收到外力作用时，使得外力的作用力分散到焊球与柱状电极接触的多个平面上，焊球受到的可接受外力（使焊球与柱状电极脱离的力）增强。

进一步，多个凸起部在以本体的中心为圆心的圆上等角度的分布，所述本体的横截面图形为圆或正多边形，所述凸起部的横截面图形为等腰三角形、矩形、正方形、等腰梯形或半圆等，使得各个方向的凸起部中心到本体的中心的距离相等，并且凸起部两侧侧壁相互对称，焊球的裙带部覆盖凸起部，使焊球与柱状电极的接触面在各个方向的结合力较均匀。

附图说明

图1为现有技术半导体器件的剖面结构示意图；

图2~图7为本实用新型实施例半导体器件的结构示意图。

具体实施方式

现有的圆片级CSP结构的半导体器件中，由于焊球只与柱状电极上表面接触，两者的接触面积较小，焊球与柱状电极的结合力较差，在受到外力的作用时，焊球容易从柱状电极的表面脱落或在焊球与柱状电极的接触面上产生裂缝，不利于后续封装工艺的进行，使得封装器件容易失效。