[实用新型]用于湿法化学工艺的设备有效
申请号: | 201220451506.0 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN203260558U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 约尔格·弗兰茨克;马蒂亚斯·尼泽;于尔根·施韦希肯迪克 | 申请(专利权)人: | 睿纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 李烨;赵飞 |
地址: | 德国居*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 湿法 化学 工艺 设备 | ||
1.用于湿法化学工艺的设备,其设置用于借助处理液(F)在形成从所述处理液(F)中逸出的气态物质(G)的情况下对衬底进行湿法化学处理,所述用于湿法化学工艺的设备包括:构成为双层壁的并且能够替换的处理池(1),所述处理池的外壁(2)和内壁(3)在构成中间腔(4)的情况下彼此隔开;和设置在所述处理池(1)之下的用于容纳的容器(5),其用于容纳从所述处理池(1)流出的气态物质(G)和/或处理液(F),所述流出的气态物质(G)和/或处理液(F)能够通过中间腔(4)排出到所述用于容纳的容器(5)中;以及设置在所述处理池(1)的所述外壁(2)和所述用于容纳的容器(5)之间的过渡区域中的密封部(9),以相对于周围环境(U)屏蔽所述气态物质(G)和/或处理液(F),其中所述密封部(9)是基于液体的密封部,通过在所述过渡区域中提供液体收集容积部(F1;F2)实现构成所述密封部(9)。
2.根据权利要求1所述的用于湿法化学工艺的设备,其中所述用于容纳的容器(5)具有环形的槽,在提供所述液体收集容积部(F1、F2)的情况下,所述槽的宽度(B)超过所述外壁(2)的厚度(D)。
3.根据权利要求2所述的用于湿法化学工艺的设备,其中所述液体收集容积部(F1)设置在所述外壁(2)的背离所述周围环境(U)的一侧上。
4.根据权利要求1所述的用于湿法化学工艺的设备,其中所述液体收集容积部(F1;F2)以环形凹槽的形式提供在所述用于容纳的容器(5)的上部区域中。
5.根据权利要求4所述的用于湿法化学工艺的设备,其中所述液体收集容积部(F1)设置在所述外壁(2)的背离所述周围环境(U)的一侧上。
6.根据权利要求1所述的用于湿法化学工艺的设备,其中在所述过渡区域中,使所述外壁的几何形状和所述用于容纳的容器(5)的与所述外壁接触的区域的几何形状彼此配合以形成所述液体收集容积部(F1;F2)。
7.根据权利要求1至6之一所述的用于湿法化学工艺的设备,其中所述液体收集容积部(F1;F2)至少部分地由冷凝的气态物质(G’)、所述处理液(F)和/或密封液填充。
8.根据权利要求1至6之一所述的用于湿法化学工艺的设备,其中在所述过渡区域中,附加地设置有对所述处理液(F)作用的密封机构(12)。
9.根据权利要求7所述的用于湿法化学工艺的设备,其中在所述过渡区域中,附加地设置有对所述处理液(F)作用的密封机构(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造