[实用新型]多晶体管结构及具有该结构的半导体器件

权利要求书

1.一种多晶体管结构，其特征在于包括：拥有基极部分和发射极部分的第一个晶体管；以及拥有一个基极和集电极的第二个晶体管；同时第一个晶体管的发射极部分被进一步作为第二个晶体管的基极部分，而第一个晶体管的基极部分则被作为第二个晶体管的集电极部分。

2.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第一个晶体管的基极上还包括一个n+半导体层和一个n-半导体层。

3.如权利要求2所述的多晶体管结构，其特征在于： n+半导体层和n-半导体层都是砷化镓层。

4.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：一个晶体管的发射极部分由一个p+半导体层构成。

5.如权利要求4所述的多晶体管结构，其特征在于：所述p+半导体层是砷化镓层。

6.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第一个晶体管的集电极部分与发射极部分有一定间距以保证第一个晶体管有至少0.1的直流电流增益。

7.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第一个晶体管是一个双极晶体管或异质结双极型晶体管，第二个晶体管是一个双极晶体管。

8.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第一个晶体管的发射极部分与一个电压源电导相连，第一个晶体管的集电极与一个功率放大器电路相连，这样第一个晶体管就成为电压电源和功率放大器电路之间的开关。

9.如权利要求8所述的多晶体管结构，其特征在于：所述开关拥有一个大小约1微安的关断电流。

10.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第二个晶体管的发射极由n-半导体层和n+半导体层组成。

11.如权利要求1所述的多晶体管结构，其特征在于：第一个晶体管的发射极与第二个晶体管的基极电气隔离，第一个晶体管的基极和第二个晶体管的集电极电气隔离。

12.一种具有权利要求1所述多晶体管结构的半导体器件，其特征在于包括：

一个n+半导体的第一层；

一个n-半导体的第二层，在第一层上面；

一个p+半导体的第三层，在第二层上面，并且分成相隔一定距离的两部分。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：

第一层n+半导体层作为第一个晶体管的基极和第二个晶体管的集电极；

第三层p+半导体层的第一部分作为第一个晶体管的集电极，第二个部分被作为第一个晶体管的发射极，第三个部分作为第二个晶体管的基极。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：第一个晶体管是同质结双极晶体管，第二个晶体管是同质结双极晶体管或异质结双极型晶体管。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：所述第三层p+半导体层的第一部分和第二部分之间的间距会产生大小相对应的第一个晶体管的直流电流增益，而直流电流增益至少为0.1。

16.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：第一层n+半导体层、第二层n-半导体层和第三层p+半导体层都是砷化镓层。

17.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于进一步包括：

第四层N-半导体层，放置在第三层p+半导体层之上；

第五层n-半导体层，放置在第四层N-半导体层之上。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于：第一层n+半导体层的第一部分和第二部分中至少有一个被作为第一个晶体管的基极；而第四层N-半导体层和第五层n+半导体层被作为第二个晶体管的发射极。

19.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：第一层n+半导体层分为两个部分，两者电气隔离；

第二层n-半导体层分为两个部分，两者电气隔离；

第三层p+半导体层有分为三个部分，其中第三个部分与第一、二部分电气隔离；

第一层n+半导体层的第一个部分和第二层n-半导体层一起作为第一个晶体管的基极；

第一层n+半导体层的第二个部分和第二层n-半导体层一起作为第二个晶体管的集电极；

第三层p+半导体层的第三个部分作为第二个晶体管的基极。