[实用新型]晶舟辅助装置及原子层沉积系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造过程中的沉积系统，特别涉及一种晶舟辅助装置及原子层沉积系统。

背景技术

随着技术的进步，当今世界已经有了各种各样的电子器件产品。这些产品所需要的条件越来越严格，既要提高样式和性能，也要重视长期的可靠性。

而应用于电子器件产品的各种半导体器件，有可能会因为暴露于大气中而容易损坏。而一旦这些半导体器件损坏，就会影响电子器件的可靠性。因此对于上述的半导体器件，通常都有相应的保护措施。有的是在半导体器件暴露的大气中填充惰性气体或为其提供干燥剂，还有的则是在半导体器件上覆盖保护层。作为保护层的材料通常有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅。这些材料的制作的保护层具有对特定气体的阻挡特性，从而有效地充当半导体器件的保护层。

其中，氮化硅具有对湿气和氧气的阻挡特性，但是阻挡的程度会根据保护层的形成条件有所不同。通常来说，氮化硅越致密，其阻挡特性也就越好。在半导体器件上形成氮化硅的方法有多种，其中一种方法是化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）。化学气相沉积是将反应气体输送至高温炉内，并且使反应气体与置于颅内的晶圆产生化学反应，以在晶圆表面沉积一层薄膜。但随着互补金属氧化物半导体（CMOS）的尺寸逐渐减小，通常我们会采用原子层沉积（ALD）代替现有的沉积系统。

附图1为原子层沉积系统的结构示意图，附图2沉积氮化硅时原子层沉积系统的结构示意图。请参照附图1，并结合附图2，原子层沉积系统中至少包括沉积炉管103和晶舟，晶舟包括若干层晶圆座101与用以支撑所述晶圆座101的晶舟支架102，所述晶圆底座101为半环状结构，所述晶舟支架102包括三根竖杆，沉积过程中，将晶圆100放置在晶舟的晶圆底座101上，用于沉积的气体从入气口104进入，从出气口105排出，在沉积氮化硅的过程中通入的气体通常有二氯硅烷、氨气等。

然而，在沉积过程中，由于晶圆底座101的特殊形状，使得沉积过程中气流在晶圆表面上的分布不均匀，进而导致了沉积的氮化硅在晶圆表面上的分布不均匀，大大影响了沉积的质量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种晶舟辅助装置及原子层沉积系统，以弥补半环状晶圆底座的缺点，提高氮化硅沉积的均匀性。

为了解决这一技术问题，本实用新型提供了一种晶舟辅助装置，其安装于晶舟上，所述晶舟包括竖向设置的晶舟支架和若干水平设置的晶圆底座，所述晶圆底座是半环状结构，所述晶圆底座沿晶舟支架纵向均匀设置于所述晶舟支架上，其特征在于：所述晶舟辅助装置包括竖向设置的辅助物支架与至少两层水平设置的辅助物底座，所述辅助物底座是半环状结构，所述辅助物底座固定安装在所述辅助物支架上，所述辅助物底座和所述晶圆底座的形状和大小相对应，当晶舟辅助装置安装于晶舟上时，所述辅助物底座和对应位置的晶圆底座围合组成一个圆环形结构。

可选的，所述辅助物支架与所述辅助物底座的外周处固定连接。

可选的，所述辅助物支架包括两根竖杆。

可选的，辅助物支架的两根竖杆与晶舟支架的三根竖杆均匀环绕设置在晶圆底座与辅助物底座组成的圆环形结构的圆周外侧。

可选的，所述辅助物底座的数量为两个，分别与晶舟上最高的晶圆底座与最低的晶圆底座围合。

可选的，若干所述辅助物底座与若干晶圆底座一一对应，互相围合。

本实用新型还提供了一种原子层沉积系统，至少包括晶舟与沉积炉管，所述晶舟设在所述沉积炉管内，还包括本实用新型提供的晶舟辅助装置，所述晶舟辅助装置于所述沉积炉管内与所述晶舟安装在一起。

本实用新型通过引入半圆环形状的辅助物底座为晶圆提供一个气流均匀的外围环境，使得通过均匀表面各部分的气流更均匀化，进而使得氮化硅在晶圆上的沉积更加均匀，有效地弥补半环状晶圆底座的缺点，提高了氮化硅沉积的均匀性。

附图说明

图1为现有技术中原子层沉积系统的结构示意图；

图2为现有技术中原子层沉积系统使用时的结构示意图；

图3为本实用新型的一实施例的晶舟辅助装置的结构示意图；

图4为本实用新型的一实施例的晶舟辅助装置使用状态的结构示意图；

图5为本实用新型的一实施例的晶舟辅助装置使用状态的结构示意图；

图6为本实用新型的一实施例的晶舟辅助装置的俯视结构示意图；