[实用新型]水平式发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种半导体发光元件，且特别是有关于一种具有相同水平高度的电极的水平式发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。传统的水平式发光二极管包括一依序由第一半导体层、发光层以及第二半导体层堆迭所形成的平台状外延堆迭结构，以及分别配置于第一半导体层上的第一电极与第二半导体层上的第二电极。当提供电能至发光二极管的第一电极与第二电极时，电流通过外延堆迭结构，且外延堆迭结构内的电子与空穴结合后释放能量，并以光的形式发出。

然而，当进行发光二极管的封装时，因为平台状外延堆迭结构的顶面与底面具有高低差的关系，使得位于顶面(第二半导体层)的第二电极与位于底面(第一半导体层)的第一电极会因影像辨识不佳的结果而使得影像显示出不同灰阶颜色的色差，造成封装机台无法根据影像对发光二极管进行打线工艺。也就是说，当水平式发光二极管的第一电极与第二电极的高度有明显落差时，会造成后续封装时影像辨识结果产生色差的问题，进而影响封装作业的进行，有待改善。

实用新型内容

本实用新型有关于一种水平式发光二极管，经由增加位于第一半导体层上的第一电极的高度，使得第一电极与位于第二半导体层上的第二电极具有实质上相同的水平高度，以避免电极间的高度差而影响封装作业的进行。

根据本实用新型的一方面，提出一种水平式发光二极管，包括一基板、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层位于基板上。发光层位于第一半导体层上且露出部分第一半导体层。第二半导体层位于发光层上。第一电极位于露出部分的第一半导体层上。第二电极位于第二半导体层上。第一电极与第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。

为了对本实用新型的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A及图1B分别绘示依照本实用新型一实施例的水平式发光二极管的结构示意图。

图2A～2E分别绘示依照本实用新型一实施例的水平式发光二极管的制造过程的示意图。

主要元件符号说明：

10：水平式发光二极管

100：基板

101：底面

102：第一半导体层

104：发光层

106：第二半导体层

107：顶面

108：平台状外延堆迭结构

110：介电层

115：开口

122：第一金属层

123：第一电极

124：第二金属层

125：第二电极

126：第三金属层

128：第四金属层

130：光阻层

131：第一开口

132：第二开口

H1、H2、H3、H4、H5：高度

S1、S2：上表面

具体实施方式

本实施例揭露的水平式发光二极管，经由增加位于第一半导体层上的第一电极的高度，使得第一电极的上表面与位于第二半导体层上的第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。需说明的是，「实质上相同」的用语并非限制第一电极与第二电极的水平高度一定完全相同，亦可包含第一电极与第二电极的水平高度略微不同的情况，只要在容许的范围，且不影响封装作业的进行的情况下，封装机台可根据影像辨识的结果对发光二极管进行打线工艺即可。

以下提出实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本实用新型欲保护的范围。

图1A及图1B分别绘示依照本实用新型一实施例的水平式发光二极管的结构示意图。图2A～2E分别绘示依照本实用新型一实施例的水平式发光二极管的制造过程的示意图。