[实用新型]水平式发光二极管有效
| 申请号： | 201220316834.X | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN202651117U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈晓炜;孙谢阳 | 申请（专利权）人： | 西安华新联合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水平 发光二极管 | ||
1.一种水平式发光二极管，包括：
一基板；
一第一半导体层，位于该基板上；
一发光层，位于该第一半导体层上且露出部分该第一半导体层；
一第二半导体层，位于该发光层上；
一第一电极，位于该露出部分的该第一半导体层上；以及
一第二电极，位于该第二半导体层上，其中该第一电极与该第二电极的上表面具有相同的水平高度。
2.如权利要求1所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一半导体层为N型半导体层，该第二半导体层为P型半导体层。
3.如权利要求1所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一半导体层为P型半导体层，该第二半导体层为N型半导体层。
4.如权利要求1所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一电极及该第二电极各自为单层或多层结构。
5.一种水平式发光二极管，包括：
具有相同水平高度的一第一电极及一第二电极。
6.如权利要求5所述的水平式发光二极管，其特征在于，更包括：
一基板；
一第一半导体层，位于该基板上；
一发光层，位于该第一半导体层上且露出部分该第一半导体层；以及
一第二半导体层，位于该发光层上；
其中，该第一电极位于该露出部分的该第一半导体层上且该第二电极位于该第二半导体层上。
7.如权利要求6所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一半导体层为N型半导体层，该第二半导体层为P型半导体层。
8.如权利要求6所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一半导体层为P型半导体层，该第二半导体层为N型半导体层。
9.如权利要求5所述的水平式发光二极管，其特征在于，该第一电极及该第二电极各自为单层或多层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
