[实用新型]晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置有效
申请号: | 201220230910.5 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN202610326U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 胡俊涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;曹华斌;宋爱珍 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;B08B5/02;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 缪友菊 |
地址: | 100041 北京市石景*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 板式 pecvd 镀膜 在线 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池PECVD工序板式镀膜设备,具体涉及一种晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置。
背景技术
太阳能作为一种清洁、可再生的能源,对它的利用一直被人们所关注。晶体硅太阳电池作为目前太阳能电池的主流,如何降低太阳能电池的成本,提高效率成为国内外晶体硅太阳能电池研究的重点。在生产晶体硅太阳能电池的过程中,硅片在镀膜后叠放时镀膜面存在着容易被氮化硅粉尘玷污,导致镀膜面氮化硅粉尘难以清除的问题,不便于后序操作,增加了人力成本。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的是为了更好的解决镀膜后硅片叠放时镀膜面容易被粉尘玷污的问题,提供一种方便快捷的吹扫系统,便于后序操作,节约人力成本。
技术方案:本实用新型所述的一种晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置,包括压力调节阀、连接管路及风刀,所述风刀为中空结构,且截面为梯形,所述连接管路的两端分别和气源及风刀下底面的进气口连接,所述压力调节阀设置在所述连接管路上,所述风刀的上底面均匀设置有若干吹扫气孔,所述风刀上底面的宽度与大于或等于待吹扫石墨载板的宽度。
进一步,所述风刀上底面的气孔分为三排,各排均匀排布,气孔直径为0.1cm,气孔间隔为0.3cm。
进一步,所述风刀的长度与待吹扫石墨载板的长度相等。
进一步,所述风刀的材质为聚四氟乙烯。
为了保证了气体在传输过程不受到任何污染,所述连接管路为二分之一英寸不锈钢管。
本装置在不改变原有设备和工艺的前提下,在设备出料腔后安装风刀,上述的风刀采用压缩空气做气源,直接放置于工艺腔尾部,待吹扫石墨载板出口正上方,气孔吹扫方向与待吹扫石墨载板成45°夹角。
本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:1、解决了沉积在硅片上表面的氮化硅粉尘在硅片叠放时玷污到硅片镀膜面,导致镀膜面氮化硅粉尘难以清除的问题;2、本吹扫装置安装简单,无需对原有设备进行更改,节约空间;3、本吹扫装置以压缩空气为气源,无需单独安装输送管路,可直接与其它设备的压缩空气管路共用;4、独特的风刀气孔设计使吹扫气体形成稳定、均匀的气流,对PECVD载板及载板上的硅片进行吹扫,清除其表面的氮化硅粉尘,防止由于粉尘而污染、划伤硅片表面。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为所述风刀的结构示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
如图1所示为一种晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置,包括压力调节阀1、连接管路2及风刀3,所述风刀3采用聚四氟乙烯制作而成,所述连接管路2为二分之一英寸不锈钢管,保障了吹扫装置的气密性及气源输出的稳定性,所述风刀3为中空结构,且截面为梯形,所述连接管路2的两端分别和气源4及风刀3下底面的进气口连接,所述压力调节阀1设置在所述连接管路2上,压力调节阀1可调节进入吹扫装置的压缩空气压力,防止压力过小不能将载板以及硅片上掉落的氮化硅粉尘清除,以及由于压力过大而使硅片损坏或移位,所述风刀3的上底面均匀设置有三排吹扫气孔,气孔直径为0.1cm,气孔间隔为0.3cm,保证压缩空气形成均匀、稳定的气流,防止由于气流不均匀引起的碎片、翘片,所述风刀3上底面的宽度与长度与待吹扫石墨载板的宽度与长度相等。
硅片经过镀膜后从下料腔传出,在其传出位置安装此吹扫装置,所述风刀3安装于石墨载板出口正上方10-20cm处,风刀3与石墨载板保持平行,气孔吹扫方向与石墨载板行进方向成45°,将该吹扫装置固定与设备出口处,压缩空气的输出口与连接管路2相连,气体经压力调节阀1输送至风刀3,气体经风刀3均匀吹向石墨载板,达到在石墨载板的传输过程中清除其表面的氮化硅粉尘的目的。
如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的