[实用新型]用于晶圆的退火舟以及退火装置有效
申请号: | 201220185498.X | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN202633251U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 叶斐;王中党;蒋爱国 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/324 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 退火 以及 装置 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种晶圆加固舟,特别涉及一种能够降低晶圆在退火过程中表面损伤的用于晶圆的退火舟以及退火装置。
背景技术
晶圆的退火加固工艺中需要将晶圆置于专门的支架上,业内通常将此加固架称之为“舟”。
附图1A所示是现有技术中一种典型采用加固舟的退火装置结构示意图,包括桨11、舟12和晶圆13。桨11水平放置,一端固定在可以前后移动的导轨(未图示)上,另一端悬空可以自由进出炉管(未图示)进行热处理。舟12放置于桨11的悬空端,并具有U型卡槽。晶圆13垂直放入舟12的U型卡槽内。附图1B所示是沿附图1A箭头所示方向的舟12和晶圆13的位置关系视图,从附图1B可以看出,晶圆13的重量仅靠晶圆13与舟12的几个接触点支持。
现有技术的缺点在于:晶圆13垂直放置,与舟12的接触点承受硅片的重量,高温过程中,晶圆13侧边会有损伤;如果是在氧气气氛中退火,晶圆13与舟12接触部分,在高温氧化过程中,接触到的氧气较少,氧化层必然较薄,后续腐蚀工艺会将此差异放大,造成侧边亮点;晶圆13重量导致桨11发生弹性形变,装片多桨悬空端下降,装片少悬空端上升,晶圆13不会完全竖直,要么前倾,要么后仰,倾斜会造成晶圆13边缘与舟12的卡槽之间产生应力,高温时下晶圆13的边缘会产生崩边。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种用于晶圆的退火舟以及退火装置,能够降低晶圆碎裂、崩边和缺口等现象,提高器件面的质量。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种用于晶圆的退火舟以及退火装置,一种用于晶圆的退火舟,包括基座和设置在基座表面的一圆弧形侧壁,所述侧壁上平行设置有多个水平凹槽,所述凹槽内壁上设置有至少三个的突起。
作为可选的技术方案,所述圆弧形侧壁的圆弧形角度为180度。
作为可选的技术方案,所述突起的顶端的面积为1mm。
本实用新型进一步提供了一种用于晶圆的退火装置,包括桨和舟,所述舟设置于桨的一端,所述舟包括基座和设置在基座表面的一圆弧形侧壁,所述侧壁上平行设置有多个水平凹槽,所述凹槽内壁上设置有至少三个的突起。
作为可选的技术方案,所述圆弧形侧壁的圆弧形角度为180度。
作为可选的技术方案,所述突起的顶端的面积为1mm。
本实用新型的优点在于,实现了在卧式炉上让晶圆水平进行热处理,舟在放置于桨的一端时,即使桨发生翘曲差异,也不会造成晶圆的倾斜,不会对晶圆侧面造成损伤,且晶圆侧边也不再承担本身重量,有效减少崩边和缺口等现象。
附图说明
附图1A所示是现有技术中一种典型采用加固舟的退火装置结构示意图。
附图1B所示是沿附图1A箭头所示方向的舟和晶圆的位置关系视图。
附图2A所示是本具体实施方式所述退火舟的结构剖视图。
附图2B是附图2A沿箭头方向的俯视图。
具体实施方式
接下来结合附图详细介绍本实用新型所述一种用于晶圆的退火舟以及退火装置的具体实施方式。
附图2A所示是本具体实施方式所述退火舟的结构剖视图,包括舟22和晶圆23。附图2B是附图2A沿箭头方向的俯视图。本实施方式中,所述晶圆23为单晶硅晶圆。该装置可以放置在桨的一端形成完整的退火装置,该装置与桨之间的示意图请参考附图1A所示。
参考附图2A和附图2B所示,所述舟22包括基座221和设置在基座221表面的一圆弧形侧壁222,所述侧壁222上平行设置有多个水平凹槽223,所述凹槽223内壁上设置有至少三个突起224、225和226。
待加固的晶圆23水平放置,用于后续形成器件的器件面向下,器件面并通过边缘三个突起224、225和226与舟22接触,硅片重量由器件面边缘承担。而舟22的水平凹槽223仅用于限定晶圆23的位置,并不与晶圆23完全卡死。
本具体实施方式中,所述圆弧形侧壁的圆弧形角度为180度,保证晶圆23既能够顺利放入至由侧壁222围拢的空间中,又可以对晶圆23形成最充分的支撑。所述突起的顶端的面积为1mm,略小于后续对器件面进行边缘倒角工艺所消耗的硅材料的尺寸(边缘倒角所消耗掉边缘硅大于1.1mm),这样可以保证高温退火造成的损伤可以通过后续的减薄和边缘倒角完全去除。
显然,这样的舟22实现了在卧式炉上让晶圆水平进行热处理。舟22在放置于桨的一端时,即使桨发生翘曲差异,也不会造成晶圆23的倾斜,不会对晶圆23侧面造成损伤,且晶圆23侧边也不再承担本身重量,有效减少崩边和缺口等现象。
综上所述,虽然本实用新型已用较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,本实用新型所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所申请的专利范围所界定者为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造