[实用新型]一种制备太阳能电池减反射绒面装置有效
申请号: | 201220156237.5 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN202564189U | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 韩帅君;刘绪红;梁冬青;段少雷;李洋 | 申请(专利权)人: | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 洛阳市凯旋专利事务所 41112 | 代理人: | 陆君 |
地址: | 471900*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 太阳能电池 反射 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及太阳能电池加工领域,尤其是涉及一种能够在制备太阳能电池减反射绒面时避免绒面产生黑纹的装置。
【背景技术】
公知的,在制作太阳能电池的工序流程中,由于第一道清洗制绒工序减反射绒面的制备能够直接影响扩散方块电阻的均匀性、磷硅玻璃层厚度的均匀性、氮化硅膜的均匀性以及印刷和烧结的质量,因此,清洗制绒属于太阳能电池制作流程的一道重要工序;目前,制备减反射绒面一般是采用湿法槽式制绒,即利用机械臂将装有太阳能级硅片的硅片承载盒依次放入相应的溶液槽槽内进行操作,从而完成硅片减反射绒面的制备;
然而,现有的制备硅片减反射绒面的装置却存在有如下不足:由于硅片承载盒内的硅片在存放有HF和HN03混合溶液的溶液槽内完成减反射绒面制备后,必须由机械臂将硅片承载盒提起并放到冲洗槽内对硅片进行冲洗,因此,在这个换槽的过程中,依附在太阳能级硅片表面的混合溶液会受重力的影响沿硅片表面下滑,且在下滑的过程中继续对硅片进行反应;由于混合溶液在下滑的过程中分布极不均匀且伴随有放热反应,这极易造成太阳能级硅片的局部表面反应时间延长及温度升高,从而发生局部表面反应过腐蚀现象,导致产生黑纹,进而极大的降低了太阳能电池的转换效率;
为解决因黑纹而降低太阳能电池转换效率的问题,现有的办法是针对湿法槽式制绒设备中的机械臂进行如下改造;一、通过在换槽时加快机械臂的行进速度来减少混合溶液在下滑时与硅片表面接触的时间,从而以降低硅片表面反应过腐蚀的发生机率来避免黑纹的产生;但是,这种办法在应用时不仅会增加机械臂的磨损程度及降低操作的稳定性,而且其还只能减少黑纹的产生,却不能根除黑纹;二、在机械臂上加装喷淋管,从而利用喷淋管在换槽过程中对硅片承载盒内的硅片进行喷淋,避免混合溶液与硅片表面发生反应,从而杜绝黑纹的产生;然而,这种办法却会导致喷淋出的水将硅片表面的混合溶液冲击的四处飞溅,从而极易造成周边的设备部件被腐蚀,严重时不但会影响设备的使用寿命,而且还会引发安全事故。
【发明内容】
为了克服背景技术中的不足,本实用新型公开了一种制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的装置能够在制备太阳能电池硅片表面减反射绒面的过程中有效解决黑纹的产生,从而避免太阳能电池的转换效率受到黑纹的影响。
为实现上述发明目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的装置包含溶液槽、槽盖板和喷淋头;所述的溶液槽槽壁设有连通储存混合溶液的储液罐的进液口,溶液槽的槽底至少设有一个出液口,溶液槽上部槽口设有槽盖板,槽盖板上至少设有一个朝向溶液槽槽内的喷淋头;所述的喷淋头与喷淋水路连通。
所述的制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的储液罐内安置冷却水盘管。
所述的制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的溶液槽槽底设置有两个用于分别排出混合溶液和排出喷淋水液的出液口。
所述的制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的出液口设置有气动阀。
所述的制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的喷淋头对应放置在溶液槽中硅片承载盒盒内的硅片。
所述的制备太阳能电池减反射绒面装置,所述的喷淋头通过喷淋水路与储存喷淋用水的储水罐连通。
由于采用如上所述的技术方案,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型所述的制备太阳能电池减反射绒面装置能够在不改变现有太阳能电池硅片表面减反射绒面制备工序的大环境前提下,有效的解决在制备减反射绒面时出现黑纹的问题,即所述装置能够简单有效的解决因黑纹而降低太阳能电池转换效率的问题。
【附图说明】
图1是本实用新型的示意图;
图中:1、溶液槽;2、槽盖板;3、喷淋头;4、进液口;5、出液口;6、储液罐;7、冷却水盘管;8、储水罐;9、气动阀。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明,公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切变化和改进,本实用新型并不局限于下面的实施例;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造