[发明专利]有机发光二极管显示器件有效
申请号: | 201210599053.0 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103579283A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 梁熙皙;俞忠根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 器件 | ||
本申请要求2012年8月7日提交的韩国专利申请No.10-2012-0086242的优先权,其通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器件,更具体地,涉及一种有源矩阵型有机发光二极管显示器件。
背景技术
近来,随着信息技术的快速发展,已提出并积极追求具有薄外形和轻重量的平板显示(FPD)器件。有代表性的平板显示器件是液晶显示器件和有机发光二极管显示器件。有机发光二极管显示器件可以被称为有机电致发光显示器件。由于有机发光二极管显示器件不需要诸如液晶显示器件的背光的额外的光源,但具有高的颜色再现范围,所以这些器件相比液晶显示器件更薄并且显示更清晰的图像。
有机发光二极管显示器件包括布置在屏幕中的像素,每个像素都由不同颜色的子像素组成。子像素由选通线和数据线交叉来限定。每个子像素可以由包括薄膜晶体管的驱动元件来单独驱动;薄膜晶体管和金属线可以设置在驱动元件区中。此时,如果驱动元件区中的薄膜晶体管和金属线反射外界光,则可能降低外部可见性。
图1是示出根据相关技术的有源矩阵型有机发光二极管显示器件的一部分的截面图。
在图1中,相关技术的有机发光二极管显示器件包括形成在基板(未示出)上的有机发光二极管120和偏光板110,从有机发光二极管120发出的光通过基板透射到外面。
有机发光二极管120包括阳极121、有机发光层122和阴极123。
当从阳极121注入的空穴与来自阴极123的电子复合时,形成激子。此时,利用有机发光层122的带隙能量发出光。发出的光穿过色彩提纯器130并被转换成所希望的颜色。
偏光板110包括使入射光偏振的线偏光板111和λ/4相位延迟器113。线偏光板111和λ/4相位延迟器113通过介于它们之间的第一粘接层112相互接合。
来自外界的光通过线偏光板111被线偏振,线偏光板111可以是水平线偏光板。因此,来自外界的光被水平偏振(线偏振)。此外,线偏振光通过λ/4相位延迟器113被圆偏振。例如,线偏振光可以被左旋圆偏振。圆偏振光被阴极123反射并再次穿过λ/4相位延迟器113。当被反射时,左旋圆偏振光被右旋圆偏振。并且,通过λ/4相位延迟器113,光被垂直偏振(线偏振)。由于垂直偏振(线偏振)光不能穿过水平线偏光板111,所以来自外界的光不能被反射并且能够提高可见性。
第二粘接层114形成在λ/4相位延迟器113的外部并且将偏光板110粘接到有机发光二极管显示器件。
当利用偏光板110使外界光的反射最小化时,透射少于45%的从有机发光二极管120发出的光,并降低了一半以上的亮度。因此,如果使用更多的功耗来补偿降低的亮度,则会减少有机发光层122的寿命。
由于偏光板110相对昂贵,所以为了阻挡反射而采用偏光板110不是很有竞争力。
发明内容
因此,本发明旨在提供一种有机发光二极管显示器件,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所产生的一个或更多个问题。
本发明的优点是要提供一种可以减少制造成本的有机发光二极管显示器件。
一种有机发光二极管显示器件包括:基板,该基板限定了具有发光区和非发光区的多个像素;防反射层,该防反射层形成在基板上并且包括至少一个金属层和至少一个绝缘层;薄膜晶体管,该薄膜晶体管形成在防反射层上、位于非发光区中并且包括栅极;钝化层,该钝化层形成在薄膜晶体管上;色彩提纯器,该色彩提纯器形成在钝化层上、位于发光区中;和光阻挡部件,该光阻挡部件在钝化层上、位于非发光区中;有机发光层;以及阳极和阴极,其中,光阻挡部件包括光阻挡层,光阻挡层由与该颜色相同的材料形成。
另一方面,一种有机发光二极管显示器件,包括:基板,该基板限定了具有发光区和非发光区的多个像素;防反射层,该防反射层形成在基板上并且包括至少一个金属层和至少一个绝缘层;金属线,该金属线在防反射层上、位于非发光区中;钝化层,该钝化层形成在金属线上;色彩提纯器,该色彩提纯器形成在钝化层上、位于发光区中;和光阻挡部件,该光阻挡部件形成在钝化层上、位于非发光区中;有机发光层;以及阴极和阳极,其中,光阻挡部件包括光阻挡层,光阻挡层由与色彩提纯器相同的材料形成。
应当理解的是,前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,并且旨在为所要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解并且并入以构成本说明书的一部分,示出了本发明的示例性实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的