[发明专利]有机发光二极管显示器件有效
申请号: | 201210599053.0 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103579283A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 梁熙皙;俞忠根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 器件 | ||
1.一种有机发光二极管显示器件,包括:
基板,该基板限定了具有发光区和非发光区的多个像素;
防反射层,该防反射层形成在所述基板上并且包括至少一个金属层和至少一个绝缘层;
薄膜晶体管,该薄膜晶体管形成在所述防反射层上、位于所述非发光区中并且包括栅极;
钝化层,该钝化层形成在所述薄膜晶体管上;
色彩提纯器,该色彩提纯器形成在所述钝化层上、位于所述发光区中;
光阻挡部件,该光阻挡部件在所述钝化层上、位于所述非发光区中;
有机发光层;和
阴极和阳极,
其中,所述光阻挡部件包括光阻挡层,所述光阻挡层由与所述色彩提纯器相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述光阻挡层由与蓝色提纯器相同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述光阻挡部件包括多个光阻挡层,每个所述光阻挡层都具有相互不同的颜色,并且所述多个光阻挡层中的至少一个由与所述色彩提纯器相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,形成在所述钝化层上、位于所述发光区中的所述色彩提纯器具有选自由红色、绿色、蓝色、黄色、紫红色和青色构成的组中的一种颜色。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述多个光阻挡层包括红色、绿色和蓝色光阻挡层,或者包括黄色、紫红色和青色光阻挡层。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述防反射层覆盖整个所述基板。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述防反射层不在所述发光区中。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述色彩提纯器位于与所述有机发光层接触所述阳极和所述阴极的区域相对应的区域中。
9.一种有机发光二极管显示器件,包括:
基板,该基板限定了具有发光区和非发光区的多个像素;
防反射层,该防反射层形成在所述基板上并且包括至少一个金属层和至少一个绝缘层;
金属线,该金属线在所述防反射层上、位于所述非发光区中;
钝化层,该钝化层形成在所述金属线上;
色彩提纯器,该色彩提纯器形成在所述钝化层上、位于所述发光区中;
光阻挡部件,该光阻挡部件形成在所述钝化层上、位于所述非发光区中;
有机发光层;和
阴极和阳极,
其中,所述光阻挡部件包括光阻挡层,所述光阻挡层由与色彩提纯器相同的材料形成。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述光阻挡层由与蓝色提纯器相同的材料形成。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述光阻挡部件包括多个光阻挡层,每个光阻挡层都具有相互不同的颜色,并且所述多个光阻挡层中的至少一个由与所述色彩提纯器相同的材料形成。
12.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,形成在所述钝化层上、位于所述发光区中的所述色彩提纯器具有选自由红色、绿色、蓝色、黄色、紫红色和青色构成的组中的一种颜色。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述多个光阻挡层包括红色、绿色和蓝色光阻挡层,或者包括黄色、紫红色和青色光阻挡层。
14.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中所述防反射层覆盖整个所述基板。
15.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述防反射层不在所述发光区中。
16.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述色彩提纯器位于与所述有机发光层接触所述阳极和所述阴极的区域相对应的区域中。
17.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述金属线包括所述薄膜晶体管的栅极、选通线和补偿电路线。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器件,其中,所述金属线进一步包括数据线、源极和/或漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的