[发明专利]横向晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向晶体管，包括：

半导体层，具有第一导电类型；

源区，形成于所述半导体层中，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

漏区，具有所述第二导电类型，形成于所述半导体层中并与所述源区相分离；

第一阱区，具有所述第二导电类型，形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；

栅介电层，形成于所述半导体层上，覆盖位于所述源区和所述第一阱区之间的所述半导体层，并向所述第一阱区上方延伸以覆盖所述第一阱区的第一部分；

场介电层，形成于所述半导体层上，覆盖位于所述漏区和所述栅介电层之间的所述第一阱区的第二部分，并与所述栅介电层衔接，其中该场介电层的厚度大于所述栅介电层的厚度；

栅区，位于所述栅介电层的靠近所述源区一侧的第一部分上；以及

场板，覆盖所述场介电层的至少一部分，并延伸至所述栅介电层上以覆盖所述栅介电层的第二部分，其中该场板与所述源区电气耦接，并且该场板与所述栅区具有位于所述栅介电层的第三部分上方的隔离间隙，所述栅介电层的第三部分位于其第一部分和第二部分之间并连接该第一部分和第二部分。

2.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：第二阱区，该第二阱区具有所述第一导电类型，形成于所述源区外围并部分延伸至所述栅区下方。

3.如权利要求2所述的横向晶体管，其中，所述第一阱区延伸至所述源区一侧下方，并包围所述源区和所述第二阱区，其中所述第二阱区将所述源区与所述第一阱区隔离。

4.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：体接触区，具有所述第一导电类型，与所述源区毗邻并与所述源区接触。

5.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：

第三轻掺杂区，形成于所述第一阱区中，位于所述栅区和所述场板之间的所述隔离间隙下方，具有所述第一导电类型并具有较小的掺杂深度。

6.如权利要求5所述的横向晶体管，其中，所述第三轻掺杂区连续形成于所述隔离间隙下方的所述第一阱区中。

7.如权利要求5所述的横向晶体管，其中，所述第三轻掺杂区间断形成于所述隔离间隙下方的所述第一阱区中。

8.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：

第一隔离侧墙和第二隔离侧墙，分别形成于所述栅区的第一侧和第二侧；以及

第三隔离侧墙和第四隔离侧墙，分别形成于所述场板的第一侧和第二侧。

9.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：

第一轻掺杂区，具有所述第一导电类型，紧邻述源区形成并与所述源区接触，并且延伸至所述栅区下方。

10.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：

第二轻掺杂区，具有所述第一导电类型，紧邻所述漏区形成并与所述漏区接触，并且延伸至所述场介电层下。

11.如权利要求1所述的横向晶体管，进一步包括：

层间介电层；以及

源电极，形成于所述层间介电层上，通过形成于所述层间介电层中的第一通孔和第二通孔和，分别与所述源区和所述场板耦接。