[发明专利]一种圆片级LED封装方法

权利要求书

1.一种圆片级LED封装方法，其工艺过程如下：

步骤一、在硅本体（200）上通过光刻、刻蚀等工艺形成硅基型腔（210）；

步骤二、采用涂胶或等离子体增强化学气相沉积法在硅基型腔（210）内壁和底部沉积一层有机或无机的绝缘层（211）；

步骤三、采用磁控溅射或电子束蒸发方法在硅基型腔（210）内壁形成金属反射层（212）； 

步骤四、通过溅射、光刻、电镀工艺在上述硅基型腔（210）的底部绝缘层（211）上、金属反射层开口（213）内焊接左导电电极601）和右导电电极（602）；

步骤五、采用热压焊或倒装回流的方式，将LED芯片（100）与左导电电极（601）和右导电电极（602）连接；

步骤六、在玻璃（300）上利用喷涂的方法均匀涂上一层光致发光层（400）；

步骤七、在硅基型腔（210）内通过涂胶或背胶工艺填充胶类填充层（500），然后用圆片键合的方式把涂有光致发光层（400）的玻璃（300）和硅本体（200）键合在一起；

步骤八、采用研磨、蚀刻的方法在硅本体（200）背面，对应左导电电极（601）和右导电电极（602）的地方开设若干个硅通孔（220），所述硅通孔（220）面阵排布并布满整个左导电电极（601）和右导电电极（602）所对应的硅本体（200）的背面；

步骤九、在上述硅通孔（220）内和硅本体（200）背面采用涂胶法或等离子体增强化学气相沉积法沉积一层有机或无机绝缘保护层（221）；

步骤十、利用光刻显影、蚀刻或激光打孔的方法将硅通孔（220）的顶部打开，露出左导电电极（601）和右导电电极（602），然后再用溅射、光刻和电镀的方法在绝缘保护层（221）上覆盖单层或多层金属线路层（222），并将左导电电极（601）和右导电电极（602）的信号通过金属线路层（222）从硅本体（200）的背面引出； 

步骤十一、通过光刻工艺在金属线路层（222）表面涂覆一层胶体，形成线路表面保护层（223），并在金属线路层（222）的两侧形成线路表面保护层开口（224）；

步骤十二、通过晶圆切割分离的方法形成单颗圆片级LED封装结构。