[发明专利]发光二极管在审

专利信息
申请号: 201210573096.1 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103904203A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 赖志成 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越广泛地应用。

现有的发光二极管,通常包括一基板及固定在该基板上的一发光二极管晶粒。该发光二极管晶粒的底面向下设有一对电极,该基板的顶面上对应该发光二极管晶粒的电极形成一对锡膏层。该发光二极管晶粒的电极与该基板的锡膏层导电连接。在制造应用该发光二极管的产品或运输该发光二极管的过程中,发光二极管晶粒及锡膏层在受到外力时容易相对于基板发生歪斜而偏离原来的位置,而影响使用甚至损毁。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种具有强化结构的发光二极管。

一种发光二极管,包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层,第一锡膏层与第一电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间,第二锡膏层与第二电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间,所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围,所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。

与现有技术相比,本发明的发光二极管中,所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围,所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围,增强了对发光二极管晶粒的支撑作用,使得所述发光二极管的结构得到强化,在受到外力的作用下不易发生变形。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。

图2为图1中所示发光二极管的俯视示意图。

主要元件符号说明

发光二极管10发光二极管晶粒12第一电极122第一半导体层123第二电极124有源层125外边缘126第二半导体层127基板14第一锡膏层15外边缘152、162第二锡膏层16底部填充胶18

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

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