[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层，所述第一锡膏层与第一电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，所述第二锡膏层与第二电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，其特征在于：所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一锡膏层、第二锡膏层分别形成于基板顶面的对角处，彼此正对、间隔设置。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括底部填充胶，该底部填充胶填充在发光二极管晶粒与基板之间的缝隙中。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该底部填充胶形成的外部轮廓呈锥形，该底部填充胶底部的外边缘与基板的外边缘对齐。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该底部填充胶由液体脂环族环氧树脂、球型硅微粉、环氧固化剂和促进剂、硅微粉表面处理剂制备而成。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管晶粒包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间，第一电极形成于该第一半导体层底面，第二电极形成于该第二半导体层底面。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述有源层为单量子阱结构或多量子阱结构。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述基板是塑料基板或表面设置有导电线路的陶瓷基板。