[发明专利]发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210561775.7 申请日: 2012-12-22
公开(公告)号: CN103887416A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 赖志成 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/54;H01L25/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的制造方法,包括以下步骤:

提供顶面贴设有发光二极管芯片的基板;

提供开设有贯穿孔的第一模具,将所述第一模具贴设在所述基板的顶面上并使所述发光二极管芯片收容在这些贯穿孔内;

提供粘稠度大、流动性差的胶体并将这些胶体放置在第一模具的顶端,然后提供刮刀,使所述刮刀将所述胶体刮入所述贯穿孔中;

将所述第一模具沿竖直方向向上拉升,使所述第一模具的底端远离所述基板的顶面而使胶体的下端外露,由于地心引力作用,这些胶体有自其下端周缘朝向贯穿孔外流动的趋势,从而拉动上端的胶体下行而填满由于其流动性差而未填满的角落,并且又由于胶体的上端并未脱离第一模具且胶体的粘稠度大,贯穿孔的内表面与胶体的上端的周缘之间存在的牵引力大于地心引力而致使胶体不会自其下端流出;

然后固化所述胶体使其形成围设所述发光二极管芯片的封装层并去除所述第一模具。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述发光二极管芯片自基板的顶面向上凸伸的高度小于所述贯穿孔的深度。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述胶体填满所述贯穿孔接近所述基板的顶面的底端而使发光二极管芯片的顶端露于所述胶体外。

4.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述胶体填满所述贯穿孔而完全包裹发光二极管芯片。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:在固化所述胶体之前,所述第一模具因拉升而使其贯穿孔的上端空置,在贯穿孔内胶体的厚度需要进一步增加的情况下,进一步在第一模具的顶端设置胶体而重复刮刀刮动的动作而使胶体进一步填满收贯穿孔的上端。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:重复沿竖直方向拉升第一模具的动作,使再次加入第一模具贯穿孔内的胶体填满所述具贯穿上端空置的区域。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:固化所述胶体之前,在提升后的第一模具的上表面设置一具有若干收容孔的第二模具,所述第二模具的收容孔为贯穿上下相对两侧表面的通孔并与对应的贯穿孔连通设置,然后在第二模具的顶端放置胶体,然后用刮刀将这些胶体刮入对应的收容孔中。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述收容孔的形状与对应的贯穿孔的形状相同,但是其孔径小于所述贯穿孔的孔径并位于对应贯穿孔的上端中部。

9.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:当第二模具的收容孔具有大的深度时,为了避免胶体内气泡的产生,向上提拉第二模具,使所述胶体填满所述第二模具的收容孔。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述胶体固化后,其封装体的纵截面呈倒置的“T”形。

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