[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及阵列基板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，TFT生产工艺中，栅绝缘层和钝化层普遍使用氮化硅(SiNx)材料，SiNx材料本身具有稳定性好、绝缘性好的优点。但是，使用SiNx材料作为栅绝缘层和钝化层的TFT阵列基板，TFT阵列基板的透过率只能保持在85％左右，随着SiNx用量的增加，TFT阵列基板应力急剧变大，导致透过率降低、以及基板形变变大；而且，凹凸不平的表面对后端的对盒工艺中的液晶取向(cellrubbing)工艺造成较大的影响，使得液晶取向紊乱，容易造成显示异常。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种TFT阵列基板及其制造方法，能减少透过光线的损失，提高TFT阵列基板的透过率。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，

所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。

这里，所述TFT阵列基板还包括：栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包括：形成于所述TFT区域上的栅绝缘层；

所述TFT阵列基板还包括：位于所述TFT与所述像素电极之间的钝化层；

所述有机树脂形成的层具有平坦化的上表面；

所述衬底基板的折射率与所述有机树脂的折射率相同；

所述有机树脂包括主链上含有Si-C、或含有Si-O结构的非感光型有机树脂材料中一种或两种的组合；

其中，所述TFT包括：栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、以及形成于所述栅绝缘层上的有源层、源信号电极和漏信号电极；或者，

源信号电极、漏信号电极和有源层，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层上的栅绝缘层，形成于所述栅绝缘层上的栅电极。

本发明还提供了一种上述薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，该方法包括：

在衬底基板上形成TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，

在所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成。

这里，所述在衬底基板上形成TFT的步骤中，包括对所述衬底基板上所述TFT以外的区域上的栅绝缘层进行刻蚀的步骤；以及在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层的步骤；

所述在衬底基板上形成TFT之后以及在形成所述像素电极之前，所述方法还包括：形成钝化层；其中，

所述在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层，为：

采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域；或者，

在具有所述TFT的衬底基板上形成所述钝化层，对所述TFT以外的区域上的被刻蚀掉的栅绝缘层上的钝化层进行刻蚀，在所述钝化层被刻蚀掉的区域上形成所述有机树脂层，所述钝化层包括所述有机树脂层。

其中，所述在衬底基板上形成TFT，包括：

在衬底基板上形成栅电极；

在具有所述栅电极的衬底基板上形成所述栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极；或者，

在衬底基板上形成源信号电极、漏信号电极和有源层；

在具有所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层的衬底基板上形成所述栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成所述栅电极。

所述在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极，为：在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺形成所述有源层以及所述源信号电极、漏信号电极。

所述采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域，所述钝化层包括所述有机树脂层中的所述钝化层、以及所述像素电极是在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺和分层剥离工艺形成的。

本发明所提供的TFT LCD阵列基板及其制造方法，具有以下的优点和特点：