[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上形成TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，

在所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成TFT的步骤中，包括对所述衬底基板上所述TFT以外的区域上的栅绝缘层进行刻蚀的步骤；以及在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成TFT之后以及在形成所述像素电极之前，所述方法还包括：形成钝化层；其中，

所述在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层，为：

采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域；或者，

在具有所述TFT的衬底基板上形成所述钝化层，对所述TFT以外的区域上的被刻蚀掉的栅绝缘层上的钝化层进行刻蚀，在所述钝化层被刻蚀掉的区域上形成所述有机树脂层，所述钝化层包括所述有机树脂层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有机树脂形成的层具有平坦化的上表面。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成TFT，包括：

在衬底基板上形成栅电极；

在具有所述栅电极的衬底基板上形成所述栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极；或者，

在衬底基板上形成源信号电极、漏信号电极和有源层；

在具有所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层的衬底基板上形成所述栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成所述栅电极。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极，为：在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺形成所述有源层以及所述源信号电极、漏信号电极。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域，所述钝化层包括所述有机树脂层中的所述钝化层、以及所述像素电极是在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺和分层剥离工艺形成的。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底基板的折射率与所述有机树脂的折射率相同。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有机树脂包括主链上含有Si-C、或含有Si-O结构的非感光型有机树脂材料中一种或两种的组合。

10.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，

所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包括：形成于所述TFT区域上的栅绝缘层。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：位于所述TFT与所述像素电极之间的钝化层。

13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述有机树脂形成的层具有平坦化的上表面。

14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述衬底基板的折射率与所述有机树脂的折射率相同。

15.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述有机树脂包括主链上含有Si-C、或含有Si-O结构的非感光型有机树脂材料中一种或两种的组合。

16.根据权利要求10所述的薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT包括：栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、以及形成于所述栅绝缘层上的有源层、源信号电极和漏信号电极；或者，

源信号电极、漏信号电极和有源层，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层上的栅绝缘层，形成于所述栅绝缘层上的栅电极。