[发明专利]一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210559716.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021812A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;高晓强;恭谦;张苗;王庶民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oi 结构 制备 方法 | ||
1.一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si衬底的一种；
2）提供一表面具有第二SiO2层的Si衬底，键合所述第一SiO2层及第二SiO2层；
3）采用XeF2气体腐蚀以去除所述半导体衬底，获得GaAs层/Ⅲ-Ⅴ半导体层/SiO2层/Si衬底结构。
2.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：采用分子束外延法或超高真空化学气相沉积法形成所述GaAs层。
3.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：采用分子束外延法或超高真空化学气相沉积法形成所述Ⅲ-Ⅴ半导体层。
4.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：采用等离子体增强化学气相沉积法及化学机械抛光法形成所述第一SiO2层。
5.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：步骤2）在键合后还包括高温退火以加强键合的步骤。
6.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：步骤3）中，将XeF2气体间歇性地通入至所述半导体衬底表面以将其去除。
7.根据权利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：XeF2气体的流向为垂直于所述半导体衬底的方向。
8.根据权利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：在腐蚀过程中，气压强度保持在0.1~1Torr之间。
9.根据权利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：在腐蚀过程中，腐蚀温度为15~40℃。
10.根据权利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底的厚度不大于500μm。
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