[发明专利]基板小片化方法和使用基板小片化方法的基板小片化装置在审
申请号: | 201210559137.1 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103178008A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 村山聪洋;池田谕;山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 小片 方法 使用 化装 | ||
技术领域
本发明涉及一种将借助粘合带而粘接保持于环状的框的半导体晶圆、电路基板或LED(Light Emitting Diode)等各种基板高精度地细分成小片(芯片:chip)的基板小片化方法和使用基板小片化方法的基板小片化装置。
背景技术
作为基板,以半导体晶圆为例,则对该半导体晶圆实施如下处理。在通常的半导体晶圆(下面,简称作“晶圆”)的表面上形成多个元件的电路图案。之后,在该表面上粘贴保护带以保护晶圆。在背磨(back grind)工序中,对表面被保护带保护的晶圆从背面进行磨削或研磨加工而将其加工成期望的厚度。在将保护带从薄型化后的晶圆剥离而将晶圆向切割工序输送前,为了增强晶圆而借助支承用的粘合带(切割带)将晶圆粘接保持于环状的框。
在输送到切割工序的晶圆上,利用金刚石触针或金刚石刀片等从电路图案面起沿着相当于半导体芯片彼此的分界线的划线形成呈格子状的多条预切断线。
之后,通过使切断辊滚动来对晶圆进行按压,从而沿着预切断线将晶圆分断成小片(芯片)(参照日本国特开平8-236484号公报)。
在切割工序之后,在接合(bonding)工序中,沿基板的径向拉伸支承用的粘合带。即,通过粘合带的拉伸来将晶圆分断成各个芯片。此时才知道产生了分断不良。故此,必须避开分断不良的那部分的芯片来进行接合处理,因此会产生作业效率较差的问题。
另外,近年来,在将基板分断成LED那样的微小片时,若如以往那样利用使用了刀片等的基板磨削来进行切割,则会使芯片破损,故此不理想。另外,因磨削造成基板的磨损而使芯片的成品份额的比例降低。
因此,提出了一种隐形切割(stealth dicing)方案,其将激光的焦点对准基板的改性区域,以从基板内部朝向基板的上下表面产生裂缝的方式进行预分断。
然而,在隐形切割中,由于难以从外观上识别预分断后的状态,因此在利用接合工序将支承用的粘合带拉伸而将基板完全分断之前,不能检测分断不良。因此,存在不能仅将没有产生分断不良的基板输入到接合工序中这样的问题。此外,在分断不良中包括分断线中断的情况、分断线没有完全形成而使间距变大的情况、间距窄于规定的分断线的间距的间距不良的情况等。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做成的,其主要目的在于提供一种能够消除基板的分断不良并将合格品的基板输出到下一个工序的基板小片化方法和使用基板小片化方法的基板小片化装置。
本发明为了达到上述目的而采用如下的结构。
即,本发明提供一种基板小片化方法,该基板小片化方法用于对借助支承用的粘合带而粘接保持于框内的、被实施切割处理后的基板进行检查,上述基板小片化方法包括以下工序:分断工序,其利用扩展构件沿上述基板的径向拉伸上述粘合带而将基板分断成小片;照射工序,其一边利用扩展构件沿径向拉伸上述粘合带一边自投光器朝向基板照射光;检测工序,其利用光学传感器隔着基板对来自上述投光器的光进行检测;以及检查工序,其根据上述光学传感器的检测结果来检查上述基板有无分断线,在上述检查工序中检测出分断不良的情况下,重复进行上述分断工序到检查工序。
采用该基板小片化方法,通过利用扩展构件沿径向拉伸粘合带,使预先被实施了切割处理的基板的分断线的间隙扩展,从而将基板分断成各小片。在拉伸了该粘合带的状态下朝向基板照射的光在该间隙和小片化后的部分因光的透射和反射而产生光的强度变化。即,能够根据光的强度变化来判断有无基板的分断不良。在检查结果中发现分断不良的情况下,通过再次重复进行分断工序到检查工序,能够将保持于框内的没有分断不良的多张基板收纳于容器中并输送到接下来的接合工序中。因此,无需在接合工序内进行分断不良的检查,而能够仅专心于小片的安装处理。
此外,在检测工序和检查工序中,例如以如下方法来检测和判断分断线。
方法一:利用光学传感器来对透过基板的分断线后的透射光进行检测,利用有无透射光来判断有无分断线。即,能够将光没有透过的部分判断为分断不良。
方法二:利用光学传感器来检测来自基板面的反射光,根据由光学传感器检测出的反射光的强度来判断有无分断线。即,与小片化后的背面相比,照射到分断线的光由于透射或漫反射而导致其反射光的强度变弱。因此,能够通过反射光的强度变化来判断分断部分和非分断部分。另外,由于基板呈格子状分断,因此能够将格子状的分断线中断的部分、格子间隔发生变化的部分确定为分断不良。例如,能够利用基准图像和测定图像以图案匹配的方式确定分断不良。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造