[发明专利]用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆的制作方法

权利要求书

1.一种用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测的晶圆制作方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

步骤1、准备硅衬底；

步骤2、在硅衬底上沉积一层氧化硅薄膜；

步骤3、在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层；

步骤4、在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜；

步骤5、该制备的控片用于多晶硅化学机械研磨制程设备的测试，以表征研磨过程对晶圆表面造成的缺陷情况；

步骤6、通过酸槽制程清洗去除残余的多晶硅层，并保留氮化硅阻挡层；

步骤7、在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜，返回步骤5。

2.如权利要求1所述的用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测的晶圆制作方法，其特征在于，在晶圆的循环利用中，多晶硅薄膜层在检测过程中被部分研磨掉，然后通过酸槽清洗去除残余的多晶硅层，再重新沉积一层多晶硅薄膜层，进行下次检测，不断重复上述过程。

3.如权利要求1所述的用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测的晶圆制作方法，其特征在于，所述的氮化硅阻挡层的厚度为1000A~3000A。

4.一种利用如权利要求1所述的用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测的晶圆制作方法所得到的晶圆，其特征在于，该晶圆从下至上的剖面堆叠结构为：硅衬底/氧化物层/氮化硅阻挡层/多晶硅层。