[发明专利]炉管设备的传送装置和传送方法有效
申请号: | 201210556656.2 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103077909A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 王硕;许忠义 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉管 设备 传送 装置 方法 | ||
1.一种炉管设备的传送装置,包括:
传送手臂,用于将晶舟内的晶圆传送至晶片盒或者将晶片盒内的晶圆传送至晶舟内,所述传送手臂的一端具有若干沿垂直方向上下分层设置的晶圆装取片,所述晶圆装取片用于暂时存放从晶舟或晶片盒内取出的晶圆;
其特征在于,还包括位于传送手臂上的红外温度检测单元,用于检测晶圆装取片上的晶圆的温度。
2.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述晶圆装取片的数量大于等于2个,红外温度检测单元的数量至少为1个。
3.如权利要求2所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述红外温度检测单元的数量等于晶圆装取片的数量,每一个红外温度检测单元检测对应的晶圆装取片上的晶圆的温度。
4.如权利要求2所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述晶圆装取片的数量为5个,红外温度检测单元的数量为1个,所述红外温度检测单元位于第三个晶圆装取片和第四个晶圆装取片之间的传送手臂侧壁上,红外温度检测单元用于检测第三个晶圆装取片上的晶圆的温度。
5.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述晶圆装取片内具有贯穿所述晶圆装取片厚度的凹槽,且上层的晶圆装取片上的凹槽位于下层的晶圆装取片上的凹槽的正上方,所述红外温度检测单元位于晶圆装取片的凹槽的正上方或正下方,并通过一个中间连接装置固定在传送手臂的上表面或下表面上。
6.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述晶圆装取片的宽度小于晶圆的直径,所述红外温度检测单元位于晶圆装取片两侧边缘的正上方或正下方,并通过一个中间连接装置固定在传送手臂的上表面或下表面上。
7.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述红外温度检测单元检测的温度的范围为-32~999摄氏度,红外温度检测单元检测温度时的反应时间小于等于1秒。
8.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述传送手臂内具有第一驱动单元,第一驱动单元与晶圆装取片相连接,用于驱动晶圆装取片在水平方向运动、以及在垂直方向小幅运动。
9.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,还包括:第二驱动单元,第二驱动单元与传送手臂相连接,用于驱动传送手臂在水平方向和垂直方向运动、以及在水平平面内旋转。
10.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,还包括:主控制单元,与所述第一驱动单元、第二驱动单元和红外温度检测单元之间进行通信,用于接收反馈信号、发出控制命令和存储相关信息。
11.如权利要求8~10任一项所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,所述主控制单元接到从红外温度检测单元发送的含有检测获得的温度参数的反馈信号后,向第一驱动单元和第二驱动单元发送停止驱动或继续驱动的命令。
12.如权利要求1所述的炉管设备的传送装置,其特征在于,还包括:晶圆检测单元,位于所述晶圆装取片上,用于检测晶圆装取片是否存在晶圆,晶圆检测单元还与主控制单元之间进行通信,将含有晶圆数量的信号反馈给主控制单元。
13.一种炉管设备的传送装置的传送方法,其特征在于,包括:
提供权利要求1~12任一项所述的炉管设备的传送装置;
提供晶舟,在晶舟内装载晶圆;
将晶舟置于处理腔室内,对晶舟内的晶圆进行热处理;
将晶舟从待处理腔室内取出,进行自然冷却;
自然冷却后,传送手臂从晶舟内取出晶圆,晶圆置于传送手臂的晶圆装取片上,红外温度检测单元检测晶圆装取片上晶圆的温度,若检测的温度大于等于预设温度,则停止晶圆的传输,反之,则将传输手臂上的晶圆传送至晶片盒内。
14.如权利要求13所述的炉管设备的传送装置的传送方法,其特征在于,所述预设温度存储在主控制单元中,所述主控制单元接收到从红外温度检测单元发送的含有检测获得的温度参数的反馈信号后,主控制单元将检测的温度与预设温度相比较,若检测的温度大于等于预设温度,则主控制单元向第一驱动单元和第二驱动单元发送停止驱动的命令,以停止晶圆的传送。
15.如权利要求14所述的炉管设备的传送装置的传送方法,其特征在于,所述预设温度的范围为小于等于60摄氏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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