[发明专利]氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：

步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；

步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；

步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；

步骤4：在ITO层上制备P型电极；

步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中该衬底的侧面形成光子晶体结构，该光子晶体结构为规则的或者不规则的光子晶体结构。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中该衬底侧面激光打孔的孔的直径为100nm-10um。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中在ITO层上的一侧向下刻蚀形成台面，刻蚀深度到达N型掺杂层内。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中成核层n型掺杂层的材料为n-GaN，厚度为1-5um，多量子阱发光层的材料为InGaN/GaN，厚度为50-500nm、P型掺杂层的材料p-GaN，厚度为200-500nm，ITO层的材料为95％的InO₂，5％SnO₂，厚度为10-1000nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，其中多量子阱发光层的周期数为1-100。