[发明专利]一种掩膜板及其制作方法有效
申请号: | 201210546650.7 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103019028A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 黎敏;吴洪江;姜晶晶;张思凯;万冀豫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板,应用于大尺寸接近式曝光机光学系统,其特征在于,所述掩膜板包括多个区域,每个区域为以所述掩膜板的中心点为圆心且按照设定规则形成的区域,并且离所述掩膜板的中心点越近的区域,其对应的透过率越高;离所述掩膜板的中心点越远的区域,其对应的透过率越低。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,该掩膜板,具体包括普通掩膜板和光学薄膜;
所述光学薄膜,贴附于所述普通掩膜板上,所述光学薄膜包括多个区域,每个区域为以所述光学薄膜的中心点为圆心且按照设定规则形成的区域,并且离所述光学薄膜的中心点越近的区域,其对应的透过率越高;离所述光学薄膜的中心点越远的区域,其对应的透过率越低。
3.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述透过率为60%~100%。
4.如权利要求1-3中任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述每个区域为圆形区域或椭圆形区域。
5.如权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,离所述掩膜板的中心点最近的区域的透过率为100%。
6.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,离所述掩膜板的中心点最近的区域之外的其他区域中每个选取点与离所述掩膜板最近的区域的透过率的差值为:
其中,ΔT为离所述掩膜板的中心点最近的区域之外的其他区域中每个选取点与离所述掩膜板最近的区域的透过率的差值;
Q0、n、K1和K2均为常量,且0<K1<1,0<K2<1,n>1;
l为所述其他区域中每个选取点与所述掩膜板的中心点之间的距离;
L为所述掩膜板的中心点与所述掩膜板的边缘上的交点之间的距离,所述交点为所述其他区域中每个选取点和所述掩膜板中心点所形成的直线与所述掩膜板的边缘相交的点;
H为离所述掩膜板的中心点最近的区域的最大曝光间距变化量。
7.一种掩膜板的制作方法,其特征在于,包括:
制备包括多个区域的光学薄膜,每个区域为以所述掩膜板的中心点为圆心且按照设定规则形成的区域,并且离所述掩膜板的中心点越近的区域,其对应的透过率越高;离所述掩膜板的中心点越远的区域,其对应的透过率越低;
将光学薄膜贴附于普通掩膜板上,制成掩膜板。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述透过率为60%~100%。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,离所述光学薄膜的中心点最近的区域的透过率为100%。
10.如权利要求7-9中任一项所述的方法,其特征在于,所述每个区域为圆形区域或椭圆形区域。
11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,通过下述方式计算得到离所述光学薄膜的中心点最近的区域之外的其他区域中每个选取点与离所述光学薄膜最近的区域的透过率的差值为:
其中,ΔT为离所述光学薄膜的中心点最近的区域之外的其他区域中每个选取点与离所述光学薄膜最近的区域的透过率的差值;
Q0、n、K1和K2均为常量,且0<K1<1,0<K2<1,n>1;
l为所述其他区域中每个选取点与所述光学薄膜的中心点之间的距离;
L为所述光学薄膜的中心点与所述光学薄膜的边缘上的交点之间的距离,所述交点为所述其他区域中每个选取点和所述光学薄膜的中心点所形成的直线与所述光学薄膜的边缘相交的点;
H为离所述光学薄膜的中心点最近的区域的最大曝光间距变化量。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备