[发明专利]金属线及阵列基板的制作方法无效
申请号: | 201210540111.2 | 申请日: | 2012-12-13 |
公开(公告)号: | CN103034049A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 曹占锋;戴天明;姚琪;孔祥春 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/77;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属线 阵列 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域尤其涉及一种金属线及阵列基板的制作方法。
背景技术
随着人们对液晶显示器品质要求的不断提高,高分辨率是液晶显示器发展的一个大趋势。为了将产品从现有的200ppi提升至300ppi以上,数据线的线宽也需要逐渐减小-从4um以上降低到2-3um,这也对生产工艺提出了更高的要求。
传统的生产工艺一般采用控制曝光显影之后金属线所对应的光刻胶的尺寸和刻蚀之后的尺寸来取得合适的金属线线宽,但是由于曝光设备的解析度是有限制的,所以曝光显影之后金属线所对应的光刻胶的尺寸无法进一步减小,进而无法得到宽度更小的金属线。
发明内容
本发明的实施例所要解决的技术问题在于提供一种金属线及阵列基板的制作方法,能够减小金属线的线宽,从而提高液晶显示器的开口率。
本申请的一方面,提供一种金属线的制作方法,包括:
形成金属层;
在所述金属层上涂覆光刻胶层;
使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域;
使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光,所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。
进一步的,所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值,是沿垂直于所述金属线的方向错位所述预设间距值,以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。
进一步的,所述金属层为源漏金属层,所述光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域。
进一步的,在使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后,还包括:
对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理,并对所述源漏金属层进行刻蚀,形成数据线、源极和漏极。
进一步的,所述数据线的宽度为1.0~2.5um。
进一步的,所述金属线为公共电极线或者栅线。
本申请的另一方面,还提供一种金属线的制作方法,包括:
形成金属层;
在所述金属层上涂覆光刻胶层;
使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域;
使用第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光,所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值。
进一步的,所述金属层为源漏金属层,所述第一次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域;所述第二次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线、源极和漏极所对应的区域以及源极和漏极向四周延伸预设距离所对应的区域,以使所述源极和漏极所对应的所述光刻胶层在第二次曝光中宽度不减小。
进一步的,所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值,是沿垂直于金属线的方向错位所述预设间距值,以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。
进一步的,在使用所述第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后,还包括:
对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理,并对所述源漏金属层进行刻蚀,形成数据线、源极和漏极。
进一步的,所述数据线的宽度为1.0~2.5um。
进一步的,所述金属线为公共电极线或者栅线。
本申请的再一方面还提供一种阵列基板的制作方法,包括上述任一项所述的金属线的制作方法。
本发明实施例的金属线及阵列基板的制作方法,通过对金属层上涂覆的光刻胶层进行两次曝光,且第一次曝光与第二次曝光之间错位预设间距值,使得光刻胶层的光刻胶保留区域的宽度能够进一步减小预设间距值,进而使得形成的金属线的宽度进一步减小,提高了液晶显示器的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中金属线制作方法的流程示意图之一;
图2为本发明实施例中第一次曝光与第二次曝光之间错位的示意图;
图3为本发明实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之一;
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