[发明专利]金属线及阵列基板的制作方法无效
申请号: | 201210540111.2 | 申请日: | 2012-12-13 |
公开(公告)号: | CN103034049A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 曹占锋;戴天明;姚琪;孔祥春 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/77;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属线 阵列 制作方法 | ||
1.一种金属线的制作方法,其特征在于,包括:
形成金属层;
在所述金属层上涂覆光刻胶层;
使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域;
使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光,所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。
2.根据权利要求1所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值,是沿垂直于所述金属线的方向错位所述预设间距值,以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。
3.根据权利要求1或2所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述金属层为源漏金属层,所述光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域。
4.根据权利要求3所述的金属线的制作方法,其特征在于,在使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后,还包括:
对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理,并对所述源漏金属层进行刻蚀,形成数据线、源极和漏极。
5.根据权利要求4所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述数据线的宽度为1.0~2.5um。
6.根据权利要求1或2所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述金属线为公共电极线或者栅线。
7.一种金属线的制作方法,其特征在于,包括:
形成金属层;
在所述金属层上涂覆光刻胶层;
使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域;
使用第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光,所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值。
8.根据权利要求7所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述金属层为源漏金属层,所述第一次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域;所述第二次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线、源极和漏极所对应的区域以及源极和漏极向四周延伸预设距离所对应的区域,以使所述源极和漏极所对应的所述光刻胶层在第二次曝光中宽度不减小。
9.根据权利要求7所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值,是沿垂直于金属线的方向错位所述预设间距值,以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。
10.根据权利要求7所述的金属线的制作方法,其特征在于,在使用所述第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后,还包括:
对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理,并对所述源漏金属层进行刻蚀,形成数据线、源极和漏极。
11.根据权利要求10所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述数据线的宽度为1.0~2.5um。
12.根据权利要求7所述的金属线的制作方法,其特征在于,所述金属线为公共电极线或者栅线。
13.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的金属线的制作方法。
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