[发明专利]一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210533276.7 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103021864A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 程新红;夏超;王中健;曹铎;郑理;贾婷婷;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi resurf 器件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种SOI RESURF超结器件结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
提供一SOI衬底；在该SOI衬底的顶层硅上形成漂移区并在该漂移区两侧预设源端和漏端；
提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；
将该第一掩膜版放置于所述漂移区之上，该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离，
自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；
退火，在该漂移区形成沿源端到漏端方向N型载流子浓度呈线性增加的N型漂移区；
提供一放置于漂移区之上并横向设有若干第二窗口的第二掩膜版；其中，所述第二窗口自所述漂移区左侧平齐起始，截止于所述第一掩膜版的起始位置；
自该第二窗口向所述N型漂移区采用三次能量和剂量依次减小的方式进行P型离子注入，形成间隔的P柱和N柱；且P柱不和漏端相连；
最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。
2.根据权利要求1所述的SOI RESURF超结器件结构的制备方法，其特征在于，所述退火时间为600～1000分钟。
3.根据权利要求1所述的SOI RESURF超结器件结构的制备方法，其特征在于，所述退火温度为1000～1400度。
4.根据权利要求1所述的SOI RESURF超结器件结构的制备方法，其特征在于，所述P型离子注入的剂量为N型离子注入的1.5-2.5倍，优选2倍。
5.根据权利要求1所述的SOI RESURF超结器件结构的制备方法，其特征在于，所述漏区为重掺杂N。
6.一种SOI RESURF超结器件结构，其特征在于，该结构包括
SOI衬底；
位于该衬底上的漂移区；
位于该漂移区上方的栅区域、位于该漂移区两端的源端、漏端以及位于该源端和漏端之间间隔设置的若干P柱和N柱；所述漂移区除若干P柱和N柱以外的区域为线性N型漂移区。
7.根据权利要求6所述的SOI RESURF超结器件结构，其特征在于，所述栅区域包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
