[发明专利]红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法有效
| 申请号: | 201210529355.0 | 申请日: | 2012-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN103000766A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
| 发明(设计)人: | 王宪谋;张敏;谢珩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 吴永亮 |
| 地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外 平面 探测器 划片 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电领域,尤其涉及一种红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法。
背景技术
目前,红外焦平面探测器的倒装互连从原理上可以分为两种:一种是只在读出电路端生长铟柱的单铟柱互连;另一种是探测器端和读出电路端均生长铟柱的双面铟柱互连。对大面阵器件而言,原来的单独读出电路端的铟柱高度已经不足以弥补探测器和读出电路压焊在一起时机器本身在对准调平尤其是施加压力时的空间不平行度和力的不均匀性。而必须采用在探测器端也生长铟柱的双面铟互连方式来增加铟柱高度,增大互连不平行度容差以实现成功互连。
原来探测器端没有生长铟柱,在划片完的洗片工艺中可以使用棉花擦拭器件背面以清除原来粘接所使用的石蜡。而在探测器端生长铟柱后,原来的划片洗片方式对探测器进行擦拭,会损伤正面的铟柱。
发明内容
鉴于上述的分析,本发明旨在提供一种红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法,用以解决现有石蜡粘贴后清洗时对探测器造成损伤的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的:
一种红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法,该方法包括:
将探测器生长有铟柱的一侧涂覆光刻胶,并进行固化;
在透明的宝石片衬底上均匀涂覆紫外固化粘接胶;
将所述探测器没有涂光刻胶一侧放置在涂覆有紫外固化粘接胶的所述宝石片衬底上;
用预定曝光量值的紫外线照射所述宝石片衬底,使所述探测器通过紫外固化粘接胶固定在所述宝石片衬底上;
划片结束后,将所述探测器和所述宝石片衬底置于丙酮溶液中进行加热脱附。
优选地,所述探测器生长有铟柱的一侧涂覆的光刻胶的厚度为1~2毫米。
优选地,所述紫外固化粘接胶为TempLoc系列。
优选地,所述预定曝光量值为1000mJ/cm2-5000mJ/cm2。
优选地,所述丙酮溶液的温度为40-70度,浸泡时间为5-30分钟。
本发明有益效果如下:
本发明提供了一种红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法,探测器通过涂覆在宝石片衬底上的紫外固化粘接胶粘贴在所述宝石片衬底上,再通过紫外线照射实现探测器与宝石片衬底的固定,在划片结束后,将探测器与宝石片衬底放在丙酮溶液中进行浸泡,使探测器与宝石片衬底自然脱附,省去了通过石蜡固定后擦拭石蜡的步骤,有效避免了擦拭石蜡过程中对探测器铟柱的损伤。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分的从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例的红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例,其中,附图构成本申请一部分,并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的,当其可能使本发明的主题模糊不清时,将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。
本发明实施例提供了一种红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法,参见图1,该方法包括:
S101、将探测器生长有铟柱的一侧涂覆光刻胶,并进行固化;
其中,所述探测器生长有铟柱的一侧涂覆的光刻胶的厚度为1~2毫米。
S102、在透明的宝石片衬底上均匀涂覆紫外固化粘接胶;
所述紫外固化粘接胶为TempLoc系列。
S103、将所述探测器没有涂光刻胶一侧放置在涂覆有紫外固化粘接胶的所述宝石片衬底上;
S104、用预定曝光量值的紫外线照射所述宝石片衬底,使所述探测器通过紫外固化粘接胶固定在所述宝石片衬底上;
所述预定曝光量值为1000mJ/cm2-5000mJ/cm2。
S105、划片结束后,将所述探测器和所述宝石片衬底置于丙酮溶液中进行加热脱附。
所述丙酮溶液的温度为40-70度,浸泡时间为5-30分钟。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





