[发明专利]单晶硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；

在所述基片上表面形成SiGe虚拟衬底；

在所述SiGe虚拟衬底表面形成第二类型掺杂层，所述第二类型掺杂层受到双轴应力；

在所述第二类型掺杂层表面形成抗反射层；

在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基片下表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述SiGe虚拟衬底的方法包括：首先在基片表面生长一层Ge含量随厚度逐渐增加的Si_1-xGe_x缓冲层，再在所述Si_1-xGe_x缓冲层表面生长一层Ge含量稳定的弛豫Si_1-xGe_x层，所述Si_1-xGe_x缓冲层和弛豫Si_1-xGe_x层构成SiGe虚拟衬底。

3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述SiGe虚拟衬底的形成工艺包括分子束外延、超高真空化学气相沉积或减压化学气相沉积。

4.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括，在所述基片的上表面形成SiGe虚拟衬底之后，在所述SiGe虚拟衬底表面形成本征层，再在所述本征层表面形成所述第二类型掺杂层。

5.根据权利要求4所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述本征层厚度范围为

6.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基片为N型单晶硅片，则第二类型掺杂层为P型层，或者所述基片为P型单晶硅片，则第二类型掺杂层为N型层。

7.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二类型掺杂层的掺杂离子包括磷、砷或锑中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二类型掺杂层的掺杂离子包括硼、镓或铟中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二类型掺杂层中掺杂离子的浓度范围为1E10/cm³~1E20/cm³。

10.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二类型掺杂层的厚度范围为

11.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：

基片，所述基片为第一类型单晶片；

位于所述基片的上表面的SiGe虚拟衬底；

位于所述SiGe虚拟衬底表面的第二类型掺杂层；

位于所述第二类型掺杂层表面的抗反射层；

位于所述抗反射层表面的第一电极；

位于所述基片下表面的第二电极。

12.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述基片为N型单晶硅片，则所述第二类型掺杂层为P型层；或者所述基片为P型单晶硅片，则所述第二类型掺杂层为N型层。

13.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiGe虚拟衬底包括基片表面的Ge含量随厚度逐渐增加的Si_1-xGe_x缓冲层和位于Si_1-xGe_x缓冲层表面的Ge含量稳定的弛豫Si_1-xGe_x层。

14.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，还包括位于SiGe虚拟衬底和第二类型掺杂层之间的本征层。

15.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述本征层厚度范围为

16.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第二类型掺杂层的掺杂离子包括磷、砷或锑中的一种或几种。

17.根据权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第二类型掺杂层的掺杂离子包括硼、镓或铟中的一种或几种。