[发明专利]一种光导半导体开关结构有效
| 申请号： | 201210522250.2 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102945887A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 杨汇鑫;胡刚 | 申请（专利权）人： | 东莞市五峰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 开关 结构 | ||
1.一种光导半导体开关结构，包括基片（1），所述基片（1）的顶端面设置有第一碳化硅薄膜（2），所述第一碳化硅薄膜（2）的顶端面的两侧分别设置有电极（3），其特征在于：所述电极（3）的顶端面设置有第二碳化硅薄膜（4），该第二碳化硅薄膜（4）覆盖于电极（3）之间的间隙及电极（3）的顶端面的部分区域。
2.根据权利要求1所述的一种光导半导体开关结构，其特征在于：所述第二碳化硅薄膜（4）覆盖所述电极（3）顶端面面积的90%-95%。
3.根据权利要求1所述的一种光导半导体开关结构，其特征在于：所述第一碳化硅薄膜（2）及第二碳化硅薄膜（4）均为β-碳化硅薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种光导半导体开关结构，其特征在于：所述β-碳化硅薄膜为具有立方结构的β-碳化硅薄膜，电阻率大于105Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的一种光导半导体开关结构，其特征在于：所述基片（1）为硅基片、碳化硅基片、氧化铝基片、砷化镓基片或者磷化铟基片。
6.根据权利要求1所述的一种光导半导体开关结构，其特征在于：所述电极（3）包括次接触层及金属薄膜层，所述次接触层设置于金属薄膜层外表面，所述次接触层为n+-GaN层，所述金属薄膜层为Ni/Ti/Au/Ti/Ni复合金属层、Ni/Cr/Au/Cr/ Ni复合金属层、Ni/Cr/ Ni复合金属层、W/Ti/Ni/Ti/ W复合金属层、TiN层、TiW层或者Ti/Al/Ti复合金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
