[发明专利]一种TFT-LCD阵列基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：透明基板，设置在所述透明基板上的公共电极线，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极、公共电极和第一薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述栅线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述像素电极连接；

而且，所述阵列基板还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；

所述第二栅极与第n行栅线电连接，所述第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；

所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；

所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第n行栅线比所述第n+1行栅线先扫描。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第n行栅线驱动的第二薄膜晶体管的个数与所述第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的个数相同；

所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括：

所述第n行栅线驱动的每个所述第二薄膜晶体管的第二漏极一一对应地与第n+1行栅线驱动的每个第一薄膜晶体管对应的像素电极电连接。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括：

所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的第一漏极连接，或者对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极连接。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括：与所述公共电极线电连接的公共电极；

所述第二源极与所述公共电极线电连接包括：所述第二源极与所述公共电极连接。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极同层设置，所述公共电极包含多个第一条形电极，所述像素电极包含多个第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。

6.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极异层设置，其中位于上层的电极包含多个条形电极，位于下层的电极包含多个条形电极或为平板形。

7.一种TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板上制作形成公共电极线，栅线及数据线，像素电极，公共电极，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；形成的所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极；形成的所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；形成的所述第二栅极与第n行栅线电连接，形成的所述第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；形成的所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第n行栅线比所述第n+1行栅线先扫描。