[发明专利]一种IGBT结壳热阻的测量方法无效
| 申请号： | 201210514961.5 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103852483A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 董少华;朱阳军;陆江;王任卿;佘超群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 结壳热阻 测量方法 | ||
1.一种IGBT结壳热阻的测量方法，其特征在于，包括：
提供第一待测IGBT，所述第一待测IGBT包括：封装芯片和封装外壳；
提供第二待测IGBT，所述第二待测IGBT包括：封装芯片、封装外壳以及位于所述封装芯片与封装外壳之间的导热层，其中，所述导热层的导热系数大于空气的导热系数；
在相同的测量条件下，分别对所述第一待测IGBT和所述第二待测IGBT施加预设的加热功率，测得所述第一待测IGBT和第二待测IGBT在该加热功率下的结温曲线；
根据所述第一待测IGBT和第二待测IGBT在该加热功率下的结温曲线，获得所述第一待测IGBT和第二待测IGBT瞬态热阻抗曲线或结构函数曲线；
根据所述第一待测IGBT和第二待测IGBT瞬态热阻抗曲线或结构函数曲线，获得所述第一待测IGBT的结壳热阻。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述结温曲线为升温曲线或降温曲线。
3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述瞬态热阻抗曲线与所述结温曲线之间的关系式为：
其中，ΔP表示预设的加热功率；TJ0表示初始结温；TJ(t)表示不同时刻结温；ZθJC(t)表示相应的不同时刻的阻抗值。
4.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，所述温度曲线为升温曲线时，TJ0表示未施加预设的加热功率前的结温。
5.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，所述温度曲线为降温曲线时，TJ0表示撤出所述预设的加热功率时刻的结温。
6.根据权利要求5所述的测量方法，其特征在于，在预设时间外，根据
其中，TJ(t)表示预设时间外不同时刻的结温；T′J0表示撤出所述预设的加热功率预设时间时的结温。
7.根据权利要求6所述的测量方法，其特征在于，所述预设时间为10μs-30μs。
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