[发明专利]防污触摸屏及其制备方法和手持移动设备有效
申请号: | 201210512836.0 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103019443A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 张迅;张伯伦;孙一绮;易伟华 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 338004 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防污 触摸屏 及其 制备 方法 手持 移动 设备 | ||
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域,特别是涉及一种防污触摸屏及其制备方法和含有该防污触摸屏的手持移动设备。
背景技术
随着触摸屏技术的发展,各种使用触摸屏的便携式设备(手机、平板电脑等)逐渐成为人们生活中的必需品。人们在享受手指触摸这种方便快捷的操作方式时,不得不面对触摸屏容易被手指上的油渍、环境中灰尘等污染,从而引起触摸屏显示不清晰、触摸屏表面脏污难清洁等问题,而防触摸屏脏污的问题一直没有得到很好解决。
研究人员在这一问题上做了大量的工作,如,通过改变触摸屏的材质、在触摸屏表面贴附一层保护膜。在触摸屏表面贴附一层保护膜的方法相对比较有效,但是也存在很多问题,如,保护膜在使用一段时间后由于脏污仍会引起触摸屏显示不清晰的问题,因此,需要定期更换保护膜,而定期更换不仅麻烦,成本相对也较高;而且保护膜的厚度一般都在0.05mm以上,这样就造成整个触摸屏厚度增加比较大,从而导致触摸屏响应速度变慢。
发明内容
基于此,有必要提供一种具有防污特性的防污触摸屏及其制备方法。
一种防污触摸屏,包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。
在其中一个实施例中,所述SiO2层的厚度为10~20nm。
在其中一个实施例中,所述CaF2层的厚度为15~25nm。
由于SiO2层具有良好的绝缘性能、稳定性好、硬度高、抗磨耐腐蚀、与触摸屏基板结合力强以及良好的透光性等优点,使得SiO2层能作为保护层对触摸屏基板起保护作用同时还不影响触摸屏基板的透光性。而CaF2层能较好的填充在SiO2层表面的毛细孔中,使得SiO2层表面的毛细孔填充得更加绵密平实,使得指纹、脏污不易附着于防污触摸屏的表面。而且CaF2层具有良好的透光、防水防油及与SiO2层具有强的结合力等特性。因此,上述防污触摸屏自身具有优良的防污特性,而且还不影响触摸屏的响应速度。此外,性能检测结果显示上述防污触摸屏具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性,以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。
一种防污触摸屏的制备方法,包括如下步骤:
使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜,在触摸屏基板上镀制SiO2层;
使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜,在所述SiO2层上镀制CaF2层。
在其中一个实施例中,所述使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中,真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围,总气压为0.4Pa;Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm,触摸屏基板的走速为37.5mm/s,镀膜时间为100s,镀制的SiO2层的厚度控制在10~20nm之间。
在其中一个实施例中,使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中,真空镀膜室中气体氛围为氩气氛围,总气压为0.4Pa;CaF2靶材与触摸屏基板之间相距75mm,触摸屏基板的走速为37.5mm/s,镀膜时间为100s,镀制的CaF2层的厚度控制在18~22nm之间。
在其中一个实施例中,所述制备方法还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行预热的步骤,预热的温度为70~90℃。
在其中一个实施例中,所述制备方法还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行清洗以除去所述触摸屏基板表面脏污的步骤。
上述防污触摸屏的制备方法,首先采用真空磁控溅射镀膜的方法在触摸屏基板镀制SiO2层,然后在SiO2层上镀制透明防污的CaF2层。真空磁控溅射镀膜具有易于控制膜的厚度、成膜速率快,便于大面积镀膜等优点,从而使得上述防污触摸屏的制备方法具有反应易于控制、适于工业化生产的优点。而且制备得到的防污触摸屏自身具有防污的特性,同时还具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性,以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。
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