[发明专利]防污触摸屏及其制备方法和手持移动设备有效
| 申请号： | 201210512836.0 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103019443A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张迅;张伯伦;孙一绮;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防污 触摸屏 及其 制备 方法 手持 移动 设备 | ||
1.一种防污触摸屏，其特征在于，包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。
2.如权利要求1所述的防污触摸屏，其特征在于，所述SiO2层的厚度为10~20nm。
3.如权利要求1所述的防污触摸屏，其特征在于，所述CaF2层的厚度为15~25nm。
4.一种防污触摸屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜，在触摸屏基板上镀制SiO2层；
使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜，在所述SiO2层上镀制CaF2层。
5.如权利要求4所述的防污触摸屏的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中，真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围，总气压为0.4Pa；Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37.5mm/s，镀膜时间为100s，镀制的SiO2层的厚度控制在10~20nm之间。
6.如权利要求4所述的防污触摸屏的制备方法，其特征在于，使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中，真空镀膜室中气体氛围为氩气氛围，总气压为0.4Pa；CaF2靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37.5mm/s，镀膜时间为100s，镀制的CaF2层的厚度控制在18~22nm之间。
7.如权利要求5或6所述的防污触摸屏的制备方法，其特征在于，还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行预热的步骤，预热的温度为70~90℃。
8.如权利要求4所述的防污触摸屏的制备方法，其特征在于，还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行清洗以除去所述触摸屏基板表面脏污的步骤。
9.一种手持移动设备，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的防污触摸屏。
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