[发明专利]氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构

权利要求书

1.一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：

一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；

一N型掺杂层，该N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；

一多量子阱发光层，该多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；

一P型掺杂层，该P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；

一ITO层，该ITO层生长在P型掺杂层上；

一绝缘层，该绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；

一导电层，该导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；

一P型电极，该P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；

一金属电极，该金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃；衬底的厚度为60-200um。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中衬底下面的沟槽的形状为V字形或矩形，沟槽的深度与衬底相同。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中N型掺杂层的材料为N--GaN，厚度为1-5um。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中多量子阱发光层的材料为InGaN，厚度为50-500nm。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中P型掺杂层的材料为的材料为P--GaN，厚度为200-500nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中ITO层的材料为95％的InO₂，5％SnO₂，厚度为10-1000nm。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为0.001-1000μm。

9.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，其中衬底上通孔的直径为20-200μm。