[发明专利]电子器件及制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

具有金属表面的载体；

附接所述载体的半导体衬底；以及

布置在所述半导体衬底与所述载体之间的层系统，所述层系统包括：

布置在所述半导体衬底上的电接触层；

布置在所述电接触层上的功能层；

布置在所述功能层上的粘附层；以及

布置在所述粘附层与所述载体之间的焊接层。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述半导体衬底包括硅基半导体材料。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述电接触层包括Al、Ti、Ag或Cr的单一元素层、或含有一种或多种这些元素的合金。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述功能层包括阻挡层。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述功能层包括Ti、TiW或W、或者含有这些材料的合金。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述粘附层包括Cu、Au、Ag、Pt或Ni的单一元素层、或含有一种或多种这些元素的合金。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述焊接层包括Sn、Zn、In、Ga、Bi或Cd的单一元素层、或含有一种或多种这些元素的合金。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述焊接层包括Sn、Zn、In、Ga、Bi或Cd中的一种或多种的合金并且还包括AuSn、SnAg、CuSn或CuSnAg。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述载体包括Cu、Ni或Fe、或含有一种或多种这些元素的合金。

10.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述载体的表面涂覆有一个或多个金属层。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其中，最上面的金属层包括Au、Ag、Cu、Pd或Pt、或者一种或多种这些元素的合金。

12.根据权利要求1所述的电子器件，其中，在所述粘附层与所述焊接层之间形成有金属间相。

13.根据权利要求1所述的电子器件，其中，在所述载体与所述焊接层之间、或者布置在所述载体上的金属层与所述焊接层之间形成有金属间相。

14.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述粘附层和载体表面或涂覆在所述载体表面上的金属层的表面是由相同的基材构成。

15.根据权利要求14所述的电子器件，其中，所述基材包括Cu、Ag、NiV、Ni或NiNiP。

16.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述载体包括引线框。

17.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述层系统不含Au。

18.一种电子器件，包括：

引线框；

布置在所述引线框上方的半导体芯片；以及

布置在所述半导体芯片和所述引线框之间的层系统，所述层系统包括：

布置在所述半导体芯片上的Al或Ti层；

布置在所述Al或Ti层上的Ti、TiW或W层；

布置在所述Ti、TiW或W层上的Cu或Ag层；

布置在所述Cu或Ag层与所述引线框之间的Sn层。

19.根据权利要求18所述的电子器件，其中，所述引线框包括Cu。

20.根据权利要求18所述的电子器件，其中，所述层系统不含Au。

21.根据权利要求18所述的电子器件，其中，所述引线框的表面涂覆有一个或多个金属层。

22.一种制造电子器件的方法，该方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上沉积电接触层；

在所述电接触层上沉积功能层；

在所述功能层上沉积粘附层；

在所述粘附层上沉积焊接层；

在所述焊接层上沉积保护层；以及

将所述半导体衬底附接到载体上。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，沉积所述电接触层、所述功能层、所述粘附层、所述焊接层和所述保护层中的一个或多个包括通过物理气相沉积法沉积。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，

所述电接触层包括Al或Ti层，

所述功能层包括Ti、TiW或W层，

所述粘附层包括Cu或Ag层，

所述焊接层包括Sn层，以及

所述保护层包括Ag或Au层。