[发明专利]背照式CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种方法，包括：

使用正面离子注入工艺在衬底上方形成光电有源区域；以及

使用背面离子注入工艺邻近所述光电有源区域形成延伸的光电有源区域。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成外延层，其中，所述光电有源区域和所述延伸的光电有源区域嵌在所述外延层中；

在所述外延层中形成隔离区域，其中，所述隔离区域围绕所述光电有源区域和所述延伸的光电有源区域；

在所述光电有源区域上方形成介电层；以及

在所述介电层上方形成金属互连层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述外延层是轻掺杂p型层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电有源区域是光电二极管，所述光电二极管包括：

n型光电二极管区域；以及

p型光电二极管区域。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的背面上形成P+层；以及

对所述P+层应用激光退火工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底从所述衬底的正面到所述衬底的背面的厚度约等于4um。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成背照式图像像素，所述背照式图像像素用于使用所述光电有源区域和所述延伸的光电有源区域将光子转化成电子。

8.一种方法，包括：

提供具有第一导电性的重掺杂衬底；

在所述重掺杂衬底上生长轻掺杂外延层；

从所述衬底的正面将具有第二导电性的离子注入到所述外延层中；

从所述衬底的正面将具有所述第一导电性的离子注入到所述外延层中；

减薄所述重掺杂衬底，直到露出所述轻掺杂外延层；以及

从所述衬底的背面将具有所述第二导电性的离子注入到所述外延层中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一导电性是p型；以及

所述第二导电性是n型。

10.一种方法，包括：

提供包括重掺杂p型衬底的晶圆；

在所述重掺杂p型衬底上生长轻掺杂p型外延层；

将n型杂质离子注入到所述外延层中，从而从所述晶圆的正面形成n型光电二极管区域；

将p型杂质离子注入到所述外延层中，从而从所述晶圆的正面形成p型光电二极管区域，其中，所述n型光电二极管区域和所述p型光电二极管区域形成PN结；

翻转所述晶圆；

将所述晶圆接合在载体上；

减薄所述重掺杂p型衬底；以及

从所述晶圆的背面将p型杂质离子注入到所述外延层中来延伸所述PN结。