[发明专利]电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造电极的方法，包括以下步骤：

在衬底上依次形成第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层；

通过第一蚀刻处理，在所述第三电介质层和所述第二电介质层中形成第一通孔；

在所述第三电介质层上形成第四电介质层，所述第四电介质层覆盖所述第一通孔的侧壁和底壁；

通过第二蚀刻处理，去除所述第一通孔的底壁上的所述第四电介质层以露出所述第一电介质层，而保留所述第一通孔的侧壁上的所述第四电介质层；

通过以所述第一通孔的侧壁上的所述第四电介质层作为蚀刻阻挡层进行第三蚀刻处理，在所述第一电介质层中形成从露出的所述第一电介质层至所述衬底的第二通孔；

在所述第二通孔中填充电极材料；以及

通过抛光处理，形成嵌入在所述第一电介质层中的所述电极；

其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层的材料为硅氧化物；所述第二电介质层的材料为硅氮化物；

所述抛光处理停止在所述第一电介质层的表面。

2.根据权利要求1所述的制造电极的方法，其中，所述电极具有亚光刻尺寸。

3.根据权利要求2所述的制造电极的方法，其中，所述电极的尺寸小于或等于100nm。

4.根据权利要求3所述的制造电极的方法，其中，所述电极的尺寸小于或等于75nm。

5.一种制造熔丝装置的方法，包括以下步骤：

使用根据权利要求1至4中任一项所述的制造电极的方法来形成第一电极；以及

形成与所述第一电极接触的熔丝元件，

其中，所述熔丝元件包含相变材料。

6.根据权利要求5所述的制造熔丝装置的方法，其中，所述相变材料是掺杂或未掺杂的硫属化物。

7.根据权利要求6所述的制造熔丝装置的方法，其中，所述相变材料是掺杂或未掺杂的Ge-Sb-Te材料，或者是掺杂或未掺杂的Sb-Te材料。

8.根据权利要求5所述的制造熔丝装置的方法，其中，所述相变材料的层厚度小于或等于30nm。

9.根据权利要求8所述的制造熔丝装置的方法，其中，当经由所述第一电极给所述熔丝元件施加电流小于或等于3mA的脉冲时，所述熔丝元件产生相变，从而使所述熔丝装置处于断开状态。

10.根据权利要求5所述的制造熔丝装置的方法，其中，所述熔丝元件和所述第一电极中的每一个被嵌入在层间电介质或金属间电介质中。

11.根据权利要求5所述的制造熔丝装置的方法，还包括以下步骤：

形成第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述熔丝元件的相对侧。