[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法在审
申请号: | 201210477151.7 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN103187426A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 朴顺龙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
本申请参照于2011年12月28日在韩国知识产权局在先提交的并适时分配予序号10-2011-0144980的申请,将该申请包含于此,并且本申请要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备是包括有机发光器件的自发射显示设备,有机发光器件包括空穴注入电极、电子注入电极以及设置在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层,当通过使空穴注入电极的空穴和电子注入电极的电子结合而形成的激子从激发态变为基态时,有机发光显示设备发光。
有机发光显示设备是不需要额外光源的自发射显示设备,因此,由于它们可以以低电压驱动,重量轻且薄,并且具有宽视角、高对比度和快响应速度,所以它们作为下一代显示设备而受到关注。
然而,有机发光显示设备由于外部湿气或氧而劣化,因此将有机发光器件包封起来,以保护它们免受外部湿气或氧的影响。
近来,为了实现薄和/或柔性的有机发光显示设备,使用由包括多个无机膜或者无机膜和有机膜的多个层组成的薄膜包封(TFE)来包封有机发光器件。
然而,由于通过TFE向外发射的光的路径不同,所以在有机发光显示设备的侧视角处出现色移。
发明内容
本发明提供了一种减少了在有机发光显示设备的侧视角处出现的色移的有机发光显示设备以及制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面,提供了一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:基底;像素电极,设置在基底上;对电极,设置在像素电极上并且穿过对电极透射光;有机发光层,设置在像素电极和对电极之间,并至少朝对电极发光;第一透射层,设置在对电极上,并且穿过第一透射层透射从有机发光层发射的光;第二透射层,在第一透射层上设置在从有机发光层发射的光的路径上,并且包括具有第一折射率的多个第一材料和具有第二折射率的第二材料,其中,第一折射率大于第二折射率,所述多个第一材料设置在第二材料内部。
有机发光显示设备还可包括设置在第二透射层上的光学构件。
第二材料可包括粘性材料。
第二透射层可包括与第一透射层接触并包括粘性材料的第一层、设置在第一层上并包括多个第一材料和第二材料的第二层以及设置在第二层上并包括粘性材料的第三层。
有机发光显示设备还可包括设置在对电极和第一透射层之间的保护层。
多个第一材料的第一折射率可以为1.5或更大。
多个第一材料的尺寸可在0.1μm和5μm之间。
多个第一材料可包括锆(Zr)或硅(Si)。
有机发光层和第二透射层之间的距离可以为50μm或更小。
基底可以是柔性基底。
第一透射层可包括其中无机膜和有机膜交替设置的多个层。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造有机发光显示设备的方法,该方法包括下述步骤:(a)在基底上顺序地形成像素电极、有机发光层和对电极,光穿过对电极透射;(b)在对电极上形成第一透射层,以穿过第一透射层透射从有机发光层发射的光;(c)在第一透射层上在从有机发光层发射的光的路径上形成第二透射层,所述第二透射层包括具有第一折射率的多个第一材料和具有第二折射率的第二材料,其中,第一折射率大于第二折射率,所述多个第一材料设置在第二材料内部。
制造有机发光显示设备的方法还可包括下述步骤:在步骤(c)之后,在第二透射层上形成光学构件。
在步骤(c)中,第二材料可包括粘性材料。
步骤(c)可包括下述步骤:形成与第一透射层接触并包括粘性材料的第一层;形成位于第一层上并包括多个第一材料和第二材料的第二层;形成位于第二层上并包括粘性材料的第三层。
制造有机发光显示设备的方法还可包括在步骤(a)和步骤(b)之间形成保护层。
在步骤(c)中,多个第一材料的第一折射率可以是1.5或以上。
在步骤(c)中,多个第一材料的尺寸可在0.1μm和5μm之间。
在步骤(c)中,多个第一材料可包括锆(Zr)或硅(Si)。
有机发光层和第二透射层之间的距离可以是50μm或更小。
基底可以是柔性基底。
在步骤(b)中,形成第一透射层的步骤可包括形成包括其中无机膜和有机膜交替设置的多个层。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的